《半导体器件物理与工艺》

译者前言1

导言 平面工艺1

第一篇 固态工艺5

第一章 汽相生长5

1.1 生长的动力学7

1.2 气相质量转移11

1.3 气体的一些性质17

第二章 热氧化20

2.1 氧化物生长的动力学21

2.2 空间电荷对氧化的影响29

第三章 固态扩散33

3.1 流密度33

3.2 输运方程39

3.3 扩散层40

3.4 与简单扩散理论的偏离56

3.5 热氧化过程中杂质的再分布66

3.6 通过二氧化硅层的扩散(氧化物掩蔽)72

3.7 外延生长中杂质的再分布75

4.1 固体的能带理论86

第二篇 半导体和半导体器件86

第四章 半导体物理基础86

4.2 半导体中的电子和空穴89

4.3 费米-狄喇克分布函数93

4.4 平衡态下半导体的重要公式94

4.5 电子和空穴的输运101

第五章 非平均条件下的半导体112

5.1 注入112

5.2 复合过程的动力学122

5.3 低注入下的寿命130

5.4 表面复合132

5.5 复合-产生中心的来源136

第六章 p-n结144

6.1 静电学146

6.2 突变结的空间电荷区149

6.3 线性缓变结的空间电荷区158

6.4 扩散结的空间电荷区160

6.5 电容-电压特性164

6.6 电流-电压特性167

6.7 结的击穿186

6.8 瞬态性质196

第七章 结型晶体管203

7.1 晶体管的工作原理204

7.2 晶体管中的电流；电流增益209

7.3 简单理论的极限和修正218

7.4 基区电阻224

7.5 最大电压极限226

7.6 最小电压极限229

7.7 热极限232

第八章 结型场效应晶体管239

8.1 工作原理240

8.2 结型场效应晶体管的特性244

8.3 简单理论的修正249

第三篇 表面效应和表面控制器件256

第九章 半导体表面理论256

9.1 表面空间电荷区的特性--平衡情况257

9.2 理想MIS(或MOS)结构264

9.3 功函数差、绝缘体中电荷、表面态对MOS特性的影响271

第十章 表面对p-n结的影响282

10.1 表面空间电荷区特性--非平衡情况282

10.2 栅控二极管结构288

10.3 表面空间电荷区中的复合-产生过程291

10.4 场感应结和沟道电流297

10.5 表面对结击穿电压的影响302

第十一章 表面场效应晶体管309

11.1 工作原理310

11.2 表面场效应晶体管的特性313

11.3 简单理论的修正320

11.4 其它类型的表面场效应晶体管322

第十二章 硅-二氧化硅系统的性质327

12.1 快表面态328

12.2 氧化物内的空间电荷330

12.3 表面态电荷335

12.4 势垒能量338

12.5 表面迁移率339

12.6 氧化物表面的电导340

12.7 其它绝缘体343