《《半导体器件平面工艺》光刻》求取 ⇩

第一章 概述1

1-1 光刻技术概况1

目录1

1-2 光刻工艺过程3

第二章 光致抗蚀剂6

2-1 光致抗蚀剂的性能6

2-2 光致抗蚀剂的配制9

2-3 光致抗蚀剂的种类11

3-1 硅片表面清洁处理的目的14

第三章 硅片表面清洁处理14

3-2 硅片表面清洁处理的方法15

第四章 涂敷感光胶18

4-1 涂胶的方法和设备18

4-2 改进涂胶效果的几种措施22

第五章 抗蚀剂膜的干燥（前烘）25

第六章 曝光27

6-1 曝光工艺过程27

6-2 光致抗蚀剂的分辨率29

6-3 影响分辨率的几种因素30

第七章 显影35

7-1 显影的要求35

7-2 显影对光刻质量的影响36

第八章 抗蚀剂膜的坚固（坚膜）39

第九章 腐蚀40

9-1 腐蚀的作用40

9-2 腐蚀液的选择41

9-3 二氧化硅的腐蚀44

9-4 硅的腐蚀50

9-5 铝等金属的腐蚀51

第十章 抗蚀剂膜的去除（去胶）54

第十一章 光刻中常见的弊病及防止改进的措施55

第十二章 光刻技术的发展动态63

12-1 大面积光刻63

12-2 明室操作65

12-3 投影光刻65

12-4 电子束光刻和离子束掺杂68