《体效应半导体器件》求取 ⇩

目录1

第一章 概论1

1.1 体效应的发现1

1.2 耿效应的理论3

1.3 在振荡器方面的应用5

1.4 在放大器方面的应用9

1.5 在功能器件方面的应用10

1.6 体效应应用的分类12

1.7 体效应器件的现状13

2.1 负微分迁移率介质中的空间电荷15

第二章 负微分迁移率和电导15

2.2 负微分迁移率介质的直流电阻17

2.3 N型砷化镓的能带结构18

2.4 双谷结构的负微分迁移率19

2.5 电导的基本方程式21

2.6 N型砷化镓的速度电场特性22

2.7 直流电场分布23

第三章 高场畴25

3.1 空间电荷积累层畴25

3.2 偶极畴29

3.3 不等面积定理31

3.4 砷化镓的电流-电压特性33

3.5 稳态畴的性质35

3.6 非稳态畴的性质37

3.7 有关畴的实验38

第四章 小信号特性41

4.1 小信号理论的适用范围41

4.2 一维二端小信号阻抗42

4.3 小信号导纳的频率特性44

4.4 二维小信号理论46

4.5 用电介质抑制畴效应的理论49

4.6 厚度对电流振荡的影响50

4.7 介质表面负荷器件的特性51

第五章 振荡器54

5.1 振荡模式54

5.2 振荡频率范围55

5.3 渡越时间模式56

5.3.1 纯粹的渡越时间模式56

5.3.2 偶极畴猝灭模式58

5.3.3 延迟偶极畴模式62

5.3.4 空间电荷积累层模式65

5.3.5 空间电荷积累层猝灭模式66

5.4 限累模式67

5.4.1 限累模式的条件68

5.4.2 限累模式的转换效率70

5.4.3 限累模式的建立73

5.4.4 限累振荡的测量结果74

5.4.5 限累振荡的频率上限75

5.5 混合模式79

5.6 电介质表面负载振荡器81

5.7 弛张振荡模式83

5.8 器件串联和并联工作的振荡器84

5.8.1 串联工作振荡器84

5.9.1 变容管调谐振荡器87

5.8.2 并联工作振荡器87

5.9 电子调谐振荡器87

5.9.2 钇铁石榴石调谐振荡器89

第六章 放大器91

6.1 两端稳态放大器91

6.2 渡越畴放大器94

6.3 三端放大器96

6.4 行波放大器97

6.5 其他放大器100

7.1 开关特性101

7.1.1 开关时间101

第七章 逻辑功能器件101

7.1.2 偏置条件104

7.1.3 触发特性105

7.1.4 输出端数108

7.2 脉冲发生器和放大器109

7.3 逻辑器件110

7.3.1 “与”门和“或”门器件110

7.3.2 比较器110

7.3.3 神经器件112

7.4 功能器件113

7.4.1 波形发生器115

7.4.2 A-D变换器件117

7.4.3 变换器118

7.4.4 扫描器119

第八章 技术上的各种问题121

8.1 材料技术121

8.1.1 砷化镓的制备121

8.2 器件的制造技术123

8.3 可靠性126

8.4 温度特性和散热128

8.5 市售器件的特性130

参考资料133