《半导体器件概论》

第一章 绪论1

§1-1　什么是半导体1

目录1

§1-2　常见的半导体材料及其主要用途2

§1-3　认识和应用半导体的历史3

§1-4　半导体材料的提纯与单晶生长7

建议阅读材料9

第二章 半导体的模型10

§2-1　半导体的共价结合10

§2-3　杂质的作用13

§2-4　能带的形成14

§2-5　能带模型中的电子与空穴16

§2-6　杂质能级18

§2-7　复合中心20

§2-8　多子、少子浓度间的重要关系20

§2-9　金属、半导体、绝缘体的区别22

练习题与思考题22

建议阅读材料23

第三章 半导体中的载流子24

§3-1　漂移电流24

§3-2　迁移率25

§3-3　电阻率和电导率25

§3-4　影响迁移率的因素27

§3-5　迁移率与电场强度的关系30

§3-6　载流子的扩散与扩散电流30

§3-7　爱因斯坦关系31

§3-8　漂移与扩散同时存在的情形32

§3-9　计算载流子浓度的基本方法33

§3-10　函数S（E）和（E）34

§3-11　电子浓度与空穴浓度的计算37

§3-12　费米能级的位置39

§3-13　关于费米能级的若干说明43

练习题与思考题44

建议阅读材料45

第四章　P-N结46

§4-1　P-N结的电流-电压关系及其定性解释46

§4-2 P-N结的能带图及内建电势差的计算48

§4-3 P-N结的电流-电压关系的定量分析49

§4-4 少子的复合与扩散52

§4-5 P-N结的扩散电流56

§4-6 对理想情况的几点修正59

§4-7 P-N结的电容效应61

§4-8 P-N结的击穿67

练习题与思考题70

建议阅读材料72

附录一 关于小注入条件与基本假设①的关系72

附录二 对非平衡状态下仍使用玻耳兹曼分布函数的说明73

第五章 金属与半导体的接触75

§5-1 金-半接触的接触电势差——肖特基势垒的形成75

§5-2 金-半接触的整流特性78

§5-3 金-半接触的少子注入80

§5-4 欧姆接触81

练习题与思考题82

建议阅读材料82

第六章 结型晶体管83

§6-1 晶体管的描述83

§6-2 与晶体管内部载流子的传输过程有关的几个参数85

§6-3 理想晶体管的各端电流与外加极间电压的关系88

§6-4 Ebers-Moll模型94

§6-5 晶体管的特性曲线96

§6-6 晶体管的运用特性100

练习题与思考题109

建议阅读材料109

第七章 场效应晶体管110

§7-1 结型场效应晶体管的基本结构与工作原理110

§7-2 源-漏间电流-电压关系的定性说明111

§2-2　电子与空穴本征激发112

§7-3 结型场效应晶体管的特性曲线族与参数114

§7-4 MIS结构中的电场效应——电场对半导体表面的影响115

§7-5 电场效应的应用——MOS场效应晶体管工作原理的说明119

§7-6 MOS场效应晶体管的特性及参数121

§7-7 增强型与耗尽型MOS场效应晶体管123

练习题与思考题124

建议阅读材料125

§8-1 双极型逻辑集成电路126

第八章 半导体集成电路126

§8-2 集成电路的设计128

§8-3 MOS集成电路130

建议阅读材料132

附录 肖特基势垒二极管132

第九章 平面工艺简介133

§9-1 平面工艺简介133

§9-2 TTL电路的典型工艺流程136

§9-3 MOS集成电路的工艺流程137

建议阅读材料138

第一部分 功率器件140

§1 可控硅整流器140

补充材料 其他半导体器件简介140

§2 可控硅整流器的工作原理141

§3 可控硅整流器应用说明142

§4 单结晶体管143

第二部分 微波器件146

§1 雪崩二极管146

§2 体效应二极管148

第三部分 光电器件153

§1 光电导体153

§2 光照下的P-N结154

§3 半导体发光现象157

第四部分 敏感器件158

§1 磁敏器件158

§2 热敏器件159