《半导体器件表面钝化 译文集》
| 作者 | 上海无线电二十九厂编辑 编者 |
|---|---|
| 出版 | 上海无线电二十九厂 |
| 参考页数 | 282 |
| 出版时间 | 1978（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 无 — 求助条款 |
| PDF编号 | 810166968（仅供预览，未存储实际文件） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
目录1
硅半导体器件的表面钝化1
半导体的表面钝化16
硅器件的钝化涂层42
介质膜在器件制造中的作用63
多晶、氮化和氧化硅的低压化学汽相沉积生产工艺74
用热氧化钝化高压pnp结构101
改进高压晶体管性能的玻璃钝化113
用形成磷硅玻璃的方法从二氧化硅薄膜中完全除去钠124
应用于MOS集成电路的半绝缘多晶硅（SIPOS）薄膜128
半绝缘多晶硅（SIPOS）钝化工艺146
用SIPOS工艺制作高可靠高压晶体管158
高质量的射频溅射二氧化硅层172
低温等离子体增强氮化硅沉积的生产反应器186
Si3N4的厚度与双极型晶体管特性的关系201
硅衬底上Al2O3层的制备及电学性质223
硅上多晶氧化铝的阳极氧化229
三氯乙烯氧化对MOS器件特性的一些影响251
用中子活化和紫外光谱分析确定溅射SiO2中钠的分布263
用活化氮制备Si3N4270
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