《半导体表面钝化技术及其应用》

绪论1

第一章钝化硅表面的结构和特性3

1-1 硅的清洁表面和真实表面3

1-2 硅-二氧化硅界面6

1-3 其它钝化介质的结构15

第二章硅表面势及其对器件特性的影响20

2-1 表面的积累、耗尽和反型20

2-2 反型的判据24

2-3 表面对半导体器件特性的影响27

第三章氮化硅钝化膜38

3-1 概述38

3-2 氮化硅膜的制备方法39

3-3 氮化硅膜的性质54

3-4 氮化硅和二氧化硅混合结构72

3-5 氮化硅膜的应用73

第四章二氧化硅和磷硅玻璃钝化膜87

4-1 二氧化硅膜的制备和应用87

4-2 磷硅玻璃膜的制备方法94

4-3 磷硅玻璃膜的性质和应用99

4-4 磷铝硅玻璃钝化膜的制备和应用102

第五章三氧化二铝钝化膜107

5-1 概述107

5-2 三氧化二铝膜的制备、性质和应用108

第六章掺氯氧化钝化工艺122

6-1 掺氯氧化工艺122

6-2 掺氯氧化层的一些性质128

6-3 掺氯氧化的钝化效果130

7-1 半绝缘多晶硅膜的钝化作用136

第七章半绝缘多晶硅钝化膜136

7-2 半绝缘多晶硅膜的制备、性质和应用138

第八章金属氧化物和有机聚合物钝化膜149

8-1 金属氧化物钝化膜的制备、性质和应用149

8-2 有机聚合物钝化膜的应用153

第九章测量钝化表面的实验方法157

9-1 各种实验方法的概况157

9-2 MOS电容-电压法的原理159

9-3 实验方法简介172