《化合物半导体探测器及其应用》求取 ⇩

第一章化合物半导体和在室温下工作的化合物半导体探测器1

1．1 化合物半导体1

1．2 化合物半导体与元素半导体Si、Ge间的差别及特点3

1．2．1 化学键3

1．2．2 晶体结构4

1．2．3 杂质、缺陷和化学比6

1．3 制备核辐射探测器对化合物半导体材料的要求10

1．4 几种常用的半导体材料的性能参数11

1．5 半导体核辐射探测器的分类和在室温下工作的半导体核辐射探测器的现状15

1．5．1 半导体核辐射探测器的分类15

1．5．2 可在室温下工作的半导体X、γ射线探测器的现状16

参考文献21

2．1 GaAs核辐射探测器的发展与现状23

第二章砷化镓(GaAs)核辐射探测器23

2．2 GaAs核辐射探测器的制备与性能24

2．2．1 用于制备核辐射探测器的GaAs单晶24

2．2．2 GaAs核辐射探测器的制备和种类25

2．2．3 GaAs表面势垒型核辐射探测器的I-V和C-V特性28

2．2．4 GaAs核辐射探测器的能谱特性32

参考文献47

第三章碲化镉(CdTe)核辐射探测器48

3．1 CdTe核辐射探测器的发展与现状48

3．2 CdTe核辐射探测器的制备与性能50

3．2．1 用于CdTe核辐射探测器的CdTe单晶的生长和晶体中的主要缺陷50

3．2．2 CdTe核辐射探测器的种类和它的制备工艺53

3．2．3 CdTe核辐射探测器的I-V特性57

3．2．4 CdTe核辐射探测器的能谱特性和性能数据62

参考文献68

4．1 引言70

第四章碘化汞(HgI2)核辐射探测器70

4．2 用于核辐射探测器的HgI2单晶材料71

4．3 HgI2核辐射探测器的制备与性能72

4．3．1 HgI2核辐射探测器的制备72

4．3．2 HgI2核辐射探测器的I-V和C-V特性74

4．3．3 HgI2核辐射探测器的能谱特性76

参考文献80

第五章化合物半导体探测器的应用81

5．1 引言81

5．2 在能谱测量中的应用82

5．3 在核医学(医用探针和骨密度仪)中的应用82

5．3．1 用于肿瘤定位的外科手术探针83

5．3．2 骨密度仪87

5．3．3 便携式区域性脑血流量实时分析系统88

5．3．5 核医学手术刀——γ射线刀(简称γ刀)89

5．3．4 核医学医疗剂量测定仪89

5．4 在高能CT技术中的应用90

5．5 在粒子物理学中的应用92

5．6 在剂量测量中的应用93

5．6．1 在核电站监控中的应用93

5．6．2 在核辐射剂量测量中的应用93

5．7 在核废物处理中的应用97

5．8 在空间物理学和天体物理学中的应用98

5．8．1 用于Soviet Mars任务中的X射线仪器98

5．8．2 在天体物理学中的应用103

5．9 在X射线闪光辐射照相和数字式照相中的应用105

5．10 在皮秒X、γ射线快速脉冲诊断中的应用109

5．11 在采煤工业中的应用110

5．12 在γ射线成像技术中的应用111

参考文献114