《半导体器件物理》求取 ⇩

目录1

第一章 引论1

1．提纲1

2．半导体器件的分类2

3．特殊说明4

第二章 半导体物理及其性质——提要4

物理常数表8

1．引言9

第一部分 半导体物理9

2．晶体结构9

3．能带13

4．热平衡条件下载流子密度17

5．载流子的迁移现象25

6．声子谱及半导体的光学、热学及大电场性质33

7．半导体器件动作的基本方程43

第二部分 p-n结器件53

第三章 p-n结二极管53

1．引言53

2．基本器件工艺53

3．耗尽区及耗尽区电容58

4．电流——电压特性64

5．结的击穿73

6．瞬变性能及噪音82

7．端子机能85

8．异质结90

第四章 隧道二极管及反向二极管98

1．引言98

2．重掺杂效应98

3．隧道过程101

4．过量电流108

5．掺杂、温度、电子聂击及压力所引起的电流电压关系110

6．等效电路118

第五章 碰撞雪崩渡越时间二极管（IMPATT二极管）120

7．反向二极管120

1．引言126

2．静态特性127

3．基本动态特性135

4．普适的小信号分析139

5．大信号分析146

6．噪音150

7．实验152

1．引言163

2．静态特性163

第六章 结型晶体管163

3．微波晶体管173

4．功率晶体管181

5．开关晶体管185

6．单结晶体管189

第七章 p-n-p-n及结型场效应器件189

1．引言198

2．p-n-p-n二极管及半导体可控整流器199

3．结型场效应晶体管及限流器209

2．萧脱基效应223

第三部分 界面及薄膜器件223

1．引言223

第八章 金属—半导体器件223

3．金属——半导体接触处的能带关系225

4．萧脱基势垒中的电流输运理论231

5．萧脱基势垒高度测量240

6．箝位晶体管，萧脱基栅场效应晶体管及金属半导体雪崩（IMPATT）二极管250

7．莫特势垒，点接触整流器及欧姆接触252

8．空间电荷限制二极管255

第九章 金属——绝缘体——半导体二极管255

1．引言260

2．理想的金属—绝缘体—半导体（MIS）二极管260

3．表面态，表面电荷及空间电荷270

4．金属功函数，晶体取向，温度，光照及辐射对MIS特性的影响282

5．表面变抗，雪崩，隧道及电致发光MIS二极管288

6．绝缘膜中的载流子输运296

第十章 绝缘栅场效应晶体管及有关的表面效应296

1．引言306

2．在非平衡条件下的表面空间电荷区307

3．沟道电导310

4．基本器件特性311

5．一般特性316

6．用萧脱势垒接触作源极及漏极的绝缘栅场效应晶体管326

7．有漂置栅的绝缘栅场效应晶体管——一种储存器件328

8．表面电场对p-n结及金属—半导体器件的影响331

2．绝缘栅薄膜晶体管（TFT）338

第十一章 薄膜器件338

1．引言338

3．热电子晶体管349

4．金属—绝缘体—金属结构361

第十二章 光电子器件369

1．引言369

2．电致发光器件369

3．太阳电池377

4．光电探测器383

1．引言403

第十三章 半导体激光器403

2．半导体激光器物理404

3．结型激光器410

4．其它泵源及激光器材料423

第五部分 体效应器件430

第十四章 体效应器件430

1．引言430

2．微分体内负阻430

3．RWH机构435

4．根氏振荡器及各种工作模式439

5．有关的体效应器件454