《半导体器件 物理与工艺》求取 ⇩

第一章能带与载流子浓度1

1.1 半导体材料1

1.2 晶体结构3

1.3 价键8

1.4 能带10

1.5 态密度16

1.6 本征载流子浓度17

1.7 施主与受主22

习题30

参考文献31

第二章载流子输运现象32

2.1 载流子漂移32

2.2 载流子扩散43

2.3 载流子注入46

2.4 产生与复合过程47

2.5 连续性方程60

2.6 强电场效应66

习题72

参考文献73

第三章p-n结75

3.1 热平衡状态76

3.2 耗尽区81

3.3 耗尽层电容89

3.4 伏-安特性94

3.5 电荷存贮和瞬态特性105

3.6 结的击穿108

习题115

参考文献117

第四章双极型器件118

4.1 晶体管的作用原理119

4.2 双极型晶体管的静态特性125

4.3 双极型晶体管的频率响应和开关特性143

4.4 异质结双极型晶体管157

4.5 可控硅器件160

习题171

参考文献172

第五章单极型器件173

5.1 金属-半导体接触174

5.2 结型场效应晶体管187

5.3 金属-半导体场效应晶体管198

5.4 MOS二极管203

5.5 MOS场效应晶体管：基本特性219

5.6 MOS场效应晶体管：阈值电压和器件尺寸比例230

习题241

参考文献242

第六章微波器件244

6.1 隧道二极管245

6.2 碰撞电离雪崩渡越时间二极管251

6.3 势垒注入传输时间二极管258

6.4 转移电子器件261

6.5 各种微波器件的比较271

习题275

参考文献277

第七章光电子器件278

7.1 辐射跃迁和光吸收278

7.2 发光二极管285

7.3 半导体激光器295

7.4 光电探测器308

7.5 太阳能电池319

习题330

参考文献331

第八章晶体生长与外延333

8.1 从熔体中生长单晶334

8.2 悬浮区熔法344

8.3 硅片成形与材料特性表征348

8.4 气相外延354

8.5 液相外延364

8.6 分子束外延368

习题374

参考文献375

第九章氧化与薄膜淀积377

9.1 热氧化378

9.2 介质淀积392

9.3 多晶硅淀积401

9.4 金属化403

习题418

参考文献419

第十章扩散与离子注入421

10.1 基本扩散理论与实践422

10.2 非本征扩散432

10.3 与扩散有关的工艺441

10.4 注入离子的分布与射程447

10.5 无序与退火459

10.6 与离子注入有关的几个工艺464

习题470

参考文献471

第十一章光刻——图形曝光与刻蚀474

11.1 光学图形曝光474

11.2 电子束、X线及离子束图形曝光490

11.3 湿法化学腐蚀501

11.4 干法腐蚀508

习题516

参考文献518

第十二章集成器件520

12.1 无源元件522

12.2 双极工艺525

12.3 MOS场效应晶体管工艺534

12.4 MES场效应晶体管工艺552

12.5 集成器件的基本极限556

习题561

参考文献562

附录564

A．符号表564

B．国际单位制566

C．用于构成十进倍数和分数单位的词头567

D．希腊字母表567

E．物理常数568

F．300 K时主要半导体材料的性质569

索引570