《半导体器件制造工艺》求取 ⇩

绪论1

第一章 半导体器件工艺的特点和流程2

§1—1 概述2

§1—2 硅外延平面晶体管工艺2

§1—3 硅三重扩散台面晶体管工艺3

§1—4 MOS场效应晶体管工艺5

§1—5 双极型集成电路工艺8

§1—6 MOS集成电路工艺10

习题11

§2—2 衬底制备12

§2—1 概述12

第二章 衬底制备和高纯水制备12

§2—3 高纯水制备18

习题21

第三章 外延22

§3—1 概述22

§3—2 硅的气相外延原理22

§3—3 气相外延设备与工艺条件25

§3—4 外延层质量检验和工艺控制28

§3—5 其它外延方法简介34

习题35

§4—2 二氧化硅的结构、性质与作用36

第四章 氧化36

§4—1 概述36

§4—3 热氧化原理39

§4—4 热氧化方法40

§4—5 氧化膜的质量检验46

习题49

第五章 掺杂50

§5—1 概述50

§5—2 扩散原理50

§5—3 扩散方法53

§5—4 扩散参数的测量63

§5—5 扩散工艺常见质量问题及分析67

§5—6 离子注入69

习题72

第六章 化学气相淀积73

§6—1 概述73

§6—2 化学气相淀积方法73

§6—3 化学气相淀积膜76

§6—4 化学气相淀积的发展81

习题81

§7—2 接触与互连金属的选择82

第七章 物理气相淀积82

§7—1 概述82

§7—3 物理气相淀积方法83

§7—4 合金化88

§7—5 物理气相淀积常见质量问题及分析90

§7—6 多层电极的物理气相淀积91

习题92

第八章 图形工艺93

§8—1 概述93

§8—2 图形转移93

§8—3 图形刻蚀99

§8—4 图形工艺的发展105

习题106

第九章 组装工艺108

§9—1 概述108

§9—2 减薄与划片108

§9—3 装片109

§9—4 键合110

§9—5 封装113

习题119

§10—1概述120

第十章 测试120

§10—2集成电路测试121

§10—3分立器件测试122

习题123

第十一章 器件可靠性和洁净技术124

§11—1 概述124

§11—2 抽样检验125

§11—3 可靠性试验128

§11—4 器件失效分析130

§11—5 洁净技术134

习题135

第十二章 掩模版制造137

§12—1 概述137

§12—2 掩模材料138

§12—3 CAD微机辅助制版138

习题139

第十三章 CAD工艺模拟140

§13—1 概述140

§13—2 CAD工艺模拟步骤140

习题141

附录一 常用清洗腐蚀剂142

附录二 半导体工艺常用单位与换算144