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目录1

出版说明1

前言1

概述1

第一章 半导体材料与衬底制备9

第一节 概述9

第二节 硅单晶的制备11

第三节 硅单晶的质量检验17

第四节 衬底的制备26

第二章 外延35

第一节 外延生长原理35

第二节 外延生长工艺38

第三节 外延层的质量分析43

第四节 外延层的质量检验47

第三章 制版51

第一节 制版的光学基础51

第二节 制版工艺54

第三节 超微粒干版的制备60

第四节 铬版与氧化铁版的制备67

第四章 氧化71

第一节 二氧化硅的结构与性质71

第二节 二氧化硅在器件生产中的应用75

第三节 二氧化硅膜的制备与原理78

第四节 二氧化硅的质量分析与检验87

第五章 掺杂93

第一节 合金法93

第二节 扩散原理96

第三节 扩散方法110

第四节 扩散层的质量分析与检验123

第五节 离子注入133

第六章 光刻138

第一节 光刻胶138

第二节 光刻工艺142

第三节 光刻质量分析150

第四节 其它光刻技术152

第七章 电极制备及引线封装157

第一节 欧姆接触157

第二节 蒸发工艺159

第三节 合金与烧结167

第四节 键合与封装171

第八章 隔离技术179

第一节 pn结隔离179

第二节 介质隔离185

第三节 pn结—介质混合隔离191

第九章 表面钝化技术194

第一节 硅—二氧化硅界面特性对器件性能的影响194

第二节 氮化硅钝化198

第三节 磷硅玻璃钝化202

第四节 三氧化二铝钝化206

第五节 其它钝化方法210

第十章 半导体器件的可靠性215

第一节 可靠性的概念及简单计算215

第二节 可靠性试验217

第三节 半导体器件失效分析223

第四节 提高器件可靠性的措施227

总附录232

附录一 室温（300°K）下锗、硅、砷化镓的物理性质232

附录二 常用杂质、金属与合金的主要物理性质233

附录三 热电偶种类及使用的温度范围234

附录四 余误差函数（erfcz）表234