《半导体器件制造工艺》求取 ⇩

目录1

第一章 半导体器件工艺概述1

§1-1半导体器件工艺的发展及现况简介1

§1-2半导体器件制造的工艺流程3

第二章 半导体材料的特点和加工11

§2-1半导体材料的特点与加工要求11

§2-2切片工艺16

§2-3磨片工艺21

§2-4抛光工艺25

§2-5材料的损耗及提高材料利用率的途径28

第三章 外延工艺31

§3-1外延生长的基本知识31

§3-2外延生长工艺32

§3-3硅外延生长装置41

§3-4外延层的参数测量43

§3-5外延层质量的讨论47

第四章 氧化工艺50

§4-1二氧化硅的物理及化学性质50

§4-2二氧化硅在器件中的作用53

§4-3二氧化硅层的制备原理及操作实例57

§4-4二氧化硅质量检验及工艺问题讨论66

第五章 光刻工艺72

§5-1光刻工艺流程72

§5-2光刻胶的性质73

§5-3光刻工艺操作77

§5-4光刻中常见问题的讨论84

§5-5光刻新工艺86

第六章 扩散工艺91

§6-1扩散原理91

§6-2扩散条件的选择96

§6-3扩散工艺99

§6-4扩散参数的测量112

§6-5扩散中常见问题的简单分析118

§6-6离子注入技术121

第七章 介质膜淀积工艺124

§7-1常用介质膜的性质和作用124

§7-2介质膜的制造工艺129

§7-3介质膜的检测140

第八章 电极制备及引线、封装工艺145

§8-1蒸发工艺145

§8-2合金及划片工艺155

§8-3键合工艺158

§8-4封装工艺161

第九章 制版工艺166

§9-1透镜成像的基本规律166

§9-2对掩膜版的要求及工艺流程170

§9-3制图与照相171

§9-4超微粒干版、铬版、氧化铁版的制备180

§9-5光刻掩膜版的识别187

第十章 半导体器件的可靠性190

§10-1可靠性的概念及简单计算190

§10-2可靠性试验193

§10-3半导体器件失效分析199

§10-4提高器件可靠性的措施204

第十一章 超争知识209

§11-1净化标准与测量209

§11-2过滤器与净化台213

§11-3超净室217

附录一 室温（300K）下锗、硅的物理性质221

附录二 常用金属的主要物理性质222

附录三 常用金属和合金的腐蚀剂223

附录四 气体的安全使用常识224

附录五 有机溶剂及酸、碱的安全使用常识226