《半导体器件新工艺新技术译文集》
| 作者 | 上海半导体器件研究所编辑 编者 |
|---|---|
| 出版 | 上海半导体器件研究所 |
| 参考页数 | 113 |
| 出版时间 | 1980（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 无 — 求助条款 |
| PDF编号 | 8964128（仅供预览，未存储实际文件） |
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一、半导体工艺技术的回顾与展望1
二、氧化物隔离技术的若干方面6
三、窄沟道场效应晶体管的阈值电压14
四、多路选通液晶显示21
五、工艺改进使利用硅—蓝宝石工艺制作的CMOS进入商用阶段30
六、一种新的自对准接触工艺39
七、离子注入硅和其它材料的激光退火效应41
八、扩散砷的硅的热氧化52
九、等离子体氧化氮化物MOS结构的特性61
十、与注入顺序有关的再分布效应67
十一、堆垛层错对MOS存储器刷新时间的有害影响71
十二、集成电路中铝与N-型多晶硅界面处多晶硅溶解作用与接触电阻的减小78
十三、硼在多晶硅中的横向扩散及其对制作亚微米MOS晶体管的影响84
十四、MOS LSI钝化的活性等离子体淀积氮化硅薄膜94
十五、冷却效果高、装配简单的大规模集成电路管壳—四列直插式封装108
1980《半导体器件新工艺新技术译文集》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由上海半导体器件研究所编辑 1980 上海半导体器件研究所 出版的版本） 。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。
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