《半导体器件译丛 3》
| 作者 | 济南市半导体元件实验所编辑 编者 |
|---|---|
| 出版 | 济南市半导体元件实验所 |
| 参考页数 | 64 |
| 出版时间 | 1976（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 无 — 求助条款 |
| PDF编号 | 85291108（仅供预览，未存储实际文件） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
二氧化硅薄膜的制作方法1
掺杂半导体的外延生长方法4
在HCl或Cl2中SiO2生长的特性6
用电子束在硅上蒸Al2O319
用CVD Al2O3膜形成平面接触结构的多层金属化30
制造集成电路腐蚀金属的自动系统37
COS/MOS集成电路原理42
直接耦合晶体管—晶体管逻辑：一种新的高性能LSI门系列49
霍耳效应集成器件61
1976《半导体器件译丛 3》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由济南市半导体元件实验所编辑 1976 济南市半导体元件实验所 出版的版本） 。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。
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