《半导体器件译丛 1 总第17期》
| 作者 | 济南市151信箱情报资料室编辑 编者 |
|---|---|
| 出版 | 济南市151信箱情报资料室 |
| 参考页数 | 52 |
| 出版时间 | 1974（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 无 — 求助条款 |
| PDF编号 | 85291088（仅供预览，未存储实际文件） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
1．外延平面晶体管的电流型二次击穿1
2．半导体器件表面处理方法10
3．半导体元件表面稳定方法13
4．用低含量As2O3的二元砷硅酸盐玻璃作源的硅中砷扩散18
5．半导体器件用的氧化铝腐蚀方法32
6．三氧化二铝沉积温度对MAOS结构的电荷存储和滞后现象的影响34
7．硼、镓、磷、砷和锑在二氧化硅中的扩散系数小结40
8．硅n-p-n以及p-n-p晶体管中集电极结的倍增44
9．化学蒸汽淀积氧化膜和玻璃薄膜的装置49
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