《半导体器件译丛 3 总第13期》
| 作者 | 济南市151信箱情报资料室编 编者 |
|---|---|
| 出版 | 济南市151信箱情报资料室 |
| 参考页数 | 52 |
| 出版时间 | 1972（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 无 — 求助条款 |
| PDF编号 | 85291078（仅供预览，未存储实际文件） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
（1）用准静态方法表征Si—SiO2界面处的表面态1
（2）放射性示踪技术研究半导体表面沾污（Ⅰ）9
（3）放射性示踪技术研究半导体表面沾污（Ⅱ）16
（4）具有几个分立基区的高频功率晶体管发明的基本情况28
（5）改善反向偏压二次击穿特性的高频功率晶体管36
（6）抗二次击穿的半导体器件40
（7）P—N结器件和集成电路中载流子寿命的定域控制46
1972《半导体器件译丛 3 总第13期》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由济南市151信箱情报资料室编 1972 济南市151信箱情报资料室 出版的版本） 。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。
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