《半导体器件译丛 3 总第10期》

作者	济南市半导体元件实验所情报资料室编辑编者
出版	济南市半导体元件实验所情报室资料室
参考页数	62
出版时间	1971（求助前请核对）目录预览
ISBN号	无 — 求助条款
PDF编号	85291068（仅供预览，未存储实际文件）
求助格式	扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册）

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（1）氮化硅通过氧的影响转变为二氧化硅1

（2）硅上氮化硅和氮氧化硅薄膜作扩散掩蔽10

（3）氧化硅做氮化硅的腐蚀掩蔽14

（4）用氯进行硅气相腐蚀16

（5）锑扩散的掺杂氧化物淀积系统21

（6）硅器件工艺过程中氯化氢吸附的使用28

（7）离子沾污引起的低电流hFE的退化32

（8）hFE的雪崩衰降47

（9）半导体片中掺杂分布的直接图示方法59

1971《半导体器件译丛 3 总第10期》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由济南市半导体元件实验所情报资料室编辑 1971 济南市半导体元件实验所情报室资料室出版的版本）。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。

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