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第一章　半导体器件失效分析概论1

§1　失效分析的产生与发展1

目录1

§2　失效分析的目的和意义3

§3　失效分析的基本内容6

§4　主要失效模式和失效机理7

§5　失效分析程序9

§6　其它10

§2 SiO2-Si系统中的电荷14

第二章　表面失效机理14

§1　半导体器件常见的失效模式和机理14

§3 钠离子对器件可靠性的危害19

§4 界面陷阱电荷对器件性能的影响24

§5 表面电荷对MOS器件的影响26

§6 SiO2缺陷对器件性能的危害28

§7 N沟MOS器件中的热电子效应31

§1 二次击穿34

第三章 体内失效机理34

§2 CMOS集成电路的闩锁效应45

§3 温度对半导体器件性能的影响62

第四章 核辐射失效及抗核加固67

§1 核辐射环境67

§2 核辐照效应及其机理68

§3 核辐照对半导体器件的影响73

§4 核电磁脉冲损伤79

§5 半导体器件的抗核加固82

第五章 电极系统的失效机理90

§1　金属化系统的失效机理90

§2　键合系统失效机理106

§3　芯片焊接的失效机理111

第六章　封装系统的失效机理116

§1　封装方法简介116

§2　塑料封装的可靠性118

§3　金属封装的失效机理122

§4　管腿锈蚀、断裂引起的失效123

§5　底座镀金层质量问题125

第七章　厚、薄膜集成电路的失效机理127

§1　薄膜集成电路的失效模式和机理127

§2　厚膜集成电路的失效模式和机理133

第八章　失效分析程序138

§1　失效分析程序（一）139

§2　失效分析程序（二）140

§3　失效分析程序（三）143

§4 失效分析程序（四）144

§5 失效分析程序（五）145

§6　失效分析程序（六）146

第九章　失效分析技术147

§1　基本分析技术147

§2　解剖技术167

§3　先进分析技术（仪器分析）172

§1　静电的产生186

第十章　半导体器件的静电损伤及防护186

§2　静电放电（ESD）的损伤模型189

§3　静电放电敏感度191

§4　静电损伤的失效模式195

§5　静电损伤的失效机理196

§6　静电损伤的防护措施203

第十一章　半导体器件的使用可靠性210

§1 半导体器件使用中的可靠性问题210

§2 CMOS电路的故障分析224

第十二章　失效分析实例241

§1 集成电路版图设计缺陷分析241

§2　MOS电路VT漂移的失效分析252

§3　MOS电路栅穿失效分析实例260

§4　键合点脱落失效机理的分析266

§5　集成电路的非功能测试与分析275

§6　电浪涌损伤的分析280

§7 “重测合格”原因的分析287

参考文献295