《场效应半导体器件》求取 ⇩

目录1

第一章一种新型的半导体器件——场效应管1

第二章MOS场效应管的工作原理4

2.1 MOS场效应管的简单介绍4

2.2半导体基础知识6

2.2.1金属、半导体、绝缘体6

2.2.2N型半导体和P型半导体7

2.2.3半导体中的电流10

2.2.4 PN结12

2.2.5半导体的表面场效应17

2.2.6 MOS场效应管的工作原理18

2.2.7 MOS场效应管的四种类型21

第三章MOS场效应管的特性与参数24

3.1 MOS场效应管的特性24

3.1.1 MOS场效应管的输出特性24

3.1.2 MOS场效应管的转移特性32

3.1.3四种MOS场效应管特性的比较33

3.2 MOS场效应管的参数37

3.2.1 MOS场效应管的基本参数37

3.2.2 MOS场效应管的频率参数46

3.2.3 MOS场效应管的极限参数49

3.3 MOS场效应管的温度稳定性53

第四章MOS场效应管的设计原理56

4.1 MOS场效应管设计的一般原则56

4.1.1材料的选取56

4.1.2栅极二氧化硅层厚度的确定61

4.1.3沟道宽长比的考虑62

4.1.4结构图形的设计66

4.2 3DO1型MOS场效应管的设计示例71

第五章MOS场效应管的制造77

5.1.1硅片的制备——切片、磨片和抛光79

5.1N沟道耗尽型MOS场效应管的制造79

5.1.2氧化83

5.1.3磷处理91

5.1.4光刻92

5.1.5扩散101

5.1.6蒸发与合金116

5.1.7装配——划片、选片、焊接、热压内引线与封帽119

5.1.8管芯的检查122

5.1.9老化和总测129

5.2 N沟道增强型MOS场效应管131

5.3 P沟道增强型MOS场效应管134

6.1改善MOS场效应管稳定性的措施138

第六章提高MOS场效应管性能的途径138

6.1.1采用“清洁工艺”制作MOS场效应管139

6.1.2磷处理使MOS场效应管的稳定性得以改善140

6.1.3 MNS和MNOS场效应器件142

6.1.4改善绝缘栅场效应器件稳定性的其他措施146

6.2抗辐射MOS场效应管简介147

6.2.1辐射的类型及其对半导体的影响147

6.2.2辐射对MOS场效应器件的影响及抗辐射MOS场149

效应器件149

6.3.1提高MOS场效应管频率特性的一般考虑152

6.3提高MOS场效应器件频率特性的几种新工艺152

6.3.2硅栅工艺156

6.3.3离子注入工艺160

6.3.4扩散自排列工艺163

第七章MOS场效应管的应用167

7.1 MOS场效应管在电路应用中的优缺点168

7.1.1MOS场效应管具有高的直流输入阻抗168

7.1.2 MOS场效应管具有多种的类型169

7.1.3 MOS场效应管具有低的噪声特性169

7.1.4 MOS场效应管具有强的抗辐射能力170

7.1.5 MOS场效应管的缺点171

7.2 MOS场效应管的等效电路173

7.3 MOS场效应管偏置工作点的选择175

7.4 MOS场效应管的应用178

7.4.1阻容耦合放大器178

7.4.2调谐放大器180

7.4.3 MOS场效应管在其他线性放大方面的应用182

7.4.4振荡与混频方面的应用186

第八章MOS场效应集成电路191

8.1 MOS场效应集成电路概述191

8.2 MOS倒相器196

S.2.1 P沟道倒相器196

8.2.2互补倒相器204

8.3 MOS 门电路206

8.4 MOS触发器210

8.5 MOS动态式逻辑电路214

8.6 MOS存储器219

8.6.1 MOS存储单元219

8.6.2 MOS存储器221

8.6.3 MOS存储器的特性与参数223

附录结型场效应管227

一、结型场效应管的工作原理和特性参数227

二、结型场效应管的设计231

三、结型场效应管的制造234