《微波半导体器件 原理和辐射效应》求取 ⇩

目录1

第一章　引言1

1.1 目的1

1.2　为什么对辐射效应感兴趣？1

1.3　速查表2

第二章　体半导体特性5

2.1　引言5

2.2　结晶态5

2.3　电子在晶体中的运动7

2.4　本征载流子密度13

2.5　非本征载流子密度16

2.6　迁移率、电导率和速度饱和19

2.7　扩散与复合24

2.8　连续方程32

第三章　p-n结一极管和晶体管37

3.1　引言37

3.2　p-n结37

3.3　偏置下的p-n结41

3.4　结的动态参数44

3.5　非理想的p-n结效应49

3.6　p-n结晶体管55

3.7　晶体管等效电路59

4.1 引言62

4.2　纯净半导体单晶的制备62

第四章　器件制备与参数测量方法62

4.3　p-n结的制备65

4.4　体半导体特性的测量70

4.5　成品器件中半导体特性的测量77

第五章　半导体辐射损伤基础85

5.1　引言85

5.2　辐射形成的缺陷85

5.3　缺陷的影响100

5.4　影响永久损伤的因素105

5.5　硅、锗和砷化镓中辐射损伤的实验测量结果105

5.6　电离辐射效应132

5.7　瞬时退火效应135

6.1 引言142

第六章 肖特基势垒二极管混频器和检波器142

6.2　理想势垒理论143

6.3　电流-电压特性146

6.4　二极管的结构及其等效电路149

6.5　辐射对直流和低频参数的影响152

6.6　微波检波器159

6.7　微波混频器163

6.8　瞬时电离效应172

第七章　p-i-n开关和限幅器的辐射损伤176

7.1　引言176

7.2　p-i-n二极管的器件物理176

7.3　P-i-n微波开关184

7.4　p-i-n开关的永久辐射效应186

7.5　P-i-n二极管微波限幅器196

7.6　微波限幅器的永久辐射效应197

7.7　开关和限幅器的瞬时电离效应201

第八章 IMPATT器件和TRAPATT器件的辐射损伤203

8.1　引言203

8.2 IMPATT振荡器理论203

8.3 TRAPATT振荡器理论208

8.4 IMPATT振荡器的永久辐射效应214

8.5 TRAPATT振荡器的永久辐射效应223

8.6 IMPATT振荡器的瞬时电离辐射效应227

9.1 引言232

第九章 Gunn（耿）器件和LSA器件的辐射损伤232

9.2 体负微分电阻233

9.3 Gunn模式235

9.4 LSA模式240

9.5 Gunn器件的永久辐射效应243

9.6 LSA振荡器的永久辐射效应249

9.7 Gunn振荡器的瞬时电离辐射效应252

第十章 BARITT器件的辐射损伤257

10.1 引言257

10.2 BARITT器件物理257

10.3 BARITT微波振荡器260

10.4 BARITT器件的永久辐射效应264

10.5 BARITT振荡器的永久辐射损伤270

10.6 瞬时电离辐射效应275

第十一章 阶跃恢复二极管倍频器的辐射损伤281

11.1 引言281

11.2 SRD器件物理281

11.3 SRD倍频器的工作原理286

11.4 SRD器件的永久辐射效应290

11.5 SRD倍频器的永久辐射效应292

11.6 SRD倍频器的电离效应297

第十二章 微波晶体管的辐射损伤299

12.1 引言299

12.2 器件物理299

12.3 辐射对直流和低频特性的影响305

12.4 辐射对微波参数的影响312

12.5 双极性微波功率晶体管的永久辐射效应322

12.6 微波场效应晶体管的永久损伤324

12.7 瞬时电离辐射效应325

第十三章 隧道二极管的辐射损伤329

13.1 引言329

13.2 隧道二极管的理论329

13.3 隧道二极管的辐射效应333

13.4 隧道二极管电路的辐射效应338

13.5 隧道二极管器件及其电路的瞬时电离辐射效应340

附录A 半导体材料的物理常数342

附录B 微波电路板与微波腔体342

附录C 中子损伤与其能谱的关系351

符号表354