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第一章基础知识1

1.1 半导体物理基础1

1.2 辐射的基本概念15

1.3 辐射与物质的相互作用23

参考文献45

第二章半导体的辐射掺杂47

2.1 半导体的离子注入掺杂47

2.2 中子嬗变掺杂54

参考文献64

第三章电离效应66

3.1 体半导体的电离效应66

3.2 绝缘体材料的电离效应85

3.3 辐射感生界面态和氧化物电荷107

3.4 电离效应的相关性——剂量增强效应125

参考文献127

第四章位移效应131

4.1 位移损伤缺陷的形成131

4.2 位移损伤缺陷对宏观电参数的影响152

4.3 位移损伤的相关性179

4.4 小结192

参考文献195

第五章辐射损伤缺陷测量200

5.1 电子显微镜方法200

5.2 沟道-背散射方法203

5.3 红外光谱方法231

5.4 电子顺磁共振(EPR)方法240

5.5 深能级瞬态谱仪(DLTS)方法267

5.6 正电子湮没技术(PAT)284

5.7 其它方法305

5.8 小结307

参考文献308

第六章结语312

6.1 电子材料辐射效应摘要312

6.2 半导体元器件的辐射效应312

6.3 辐射效应的应用313

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