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下册目录209

第六章Ⅲ-V族化合物的相平衡和制备209

§23固液平衡相图209

§24蒸气压213

§25压力和温度的控制220

§26原料提纯225

§27化合物的合成和单晶生长228

§28化合物的区域提纯237

参考文献241

第七章Ⅲ-V族化合物的特性和杂质243

§29化合物的化学键与晶体结构244

§30极性对禁带宽度和载流子迁移率的影响252

§31极性对腐蚀和晶体生长的影响262

§32 Ⅲ-V族化合物中的杂质267

§33 Ⅲ-V族化合物之间的固溶体273

参考文献277

第八章化合物半导体的化学比问题。硫化物和氧化物280

§34化合物半导体的缺陷281

§35化学比的偏离。硫化物和氧化物的气氛处理293

§36从气相中生长单晶305

§37晶粒间界和非单晶样品316

参考文献321

第九章缺陷、杂质互作用的几个问题323

§38杂质溶解度的相互影响323

§39硅中氧的反应331

§40锗中铜的扩散340

参考文献346

附录348

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