《半导体材料 （下册）》
| 作者 | 莫党编著 编者 |
|---|---|
| 出版 | 人民教育出版社 |
| 参考页数 | 355 |
| 出版时间 | 1963年06月第1版（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 无 — 求助条款 |
| PDF编号 | 817866298（仅供预览，未存储实际文件） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
下册目录209
第六章Ⅲ-V族化合物的相平衡和制备209
§23固液平衡相图209
§24蒸气压213
§25压力和温度的控制220
§26原料提纯225
§27化合物的合成和单晶生长228
§28化合物的区域提纯237
参考文献241
第七章Ⅲ-V族化合物的特性和杂质243
§29化合物的化学键与晶体结构244
§30极性对禁带宽度和载流子迁移率的影响252
§31极性对腐蚀和晶体生长的影响262
§32 Ⅲ-V族化合物中的杂质267
§33 Ⅲ-V族化合物之间的固溶体273
参考文献277
第八章化合物半导体的化学比问题。硫化物和氧化物280
§34化合物半导体的缺陷281
§35化学比的偏离。硫化物和氧化物的气氛处理293
§36从气相中生长单晶305
§37晶粒间界和非单晶样品316
参考文献321
第九章缺陷、杂质互作用的几个问题323
§38杂质溶解度的相互影响323
§39硅中氧的反应331
§40锗中铜的扩散340
参考文献346
附录348
1963年06月第1版《半导体材料 （下册）》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由莫党编著 1963年06月第1版 人民教育出版社 出版的版本） 。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。
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