《半导体材料生长技术》

作者	（美）曾（Tsang，W.T.）主编；江剑平等译编者
出版	广东科技出版社；清华大学出版社
参考页数	443
出版时间	1993（求助前请核对）目录预览
ISBN号	7535911358 — 求助条款
PDF编号	82281708（仅供预览，未存储实际文件）
求助格式	扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册）

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第一章InGaAsP液相外延生长1

Ⅰ．引言3

Ⅱ．In-Ga-As-P相图和In-Ga-As相图5

Ⅲ．晶格匹配的InGaAsP层和InGaAs层的生长21

Ⅳ．无失配位错外延层的生长29

Ⅴ．生长速率40

Ⅵ．高纯外延层的生长68

Ⅶ．生长的其它特点81

Ⅷ．在(111)A取向的In0.53 Ga0.47As上直接生长InP90

Ⅸ．结语95

参考文献96

第二章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的分子束外延104

Ⅰ．分子束外延的历史回顾106

Ⅱ．分子束外延的基本过程108

Ⅲ．生长设备115

Ⅳ．在位表面检测技术116

Ⅴ．衬底处理127

Ⅵ．Ⅲ-V族化合物的生长条件133

Ⅶ．单层的输运和光学性质155

Ⅷ．量子阱结构的输运和光学性质163

Ⅸ．MBE生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器171

Ⅹ．新型激光器181

Ⅺ．新型光探测器209

Ⅻ．结语219

参考文献221

第三章Ⅲ-Ⅴ族半导体的有机金属汽相外延生长227

Ⅰ．引言228

Ⅱ．生长过程233

Ⅲ．典型材料和器件266

Ⅳ．总结和展望277

参考文献279

第四章InGaAsP和GaAs的卤化物和氯化物输运的汽相沉积285

Ⅰ．引言286

Ⅱ．卤化物输运287

Ⅲ．热力学模型295

Ⅳ．生长机理的讨论317

Ⅴ．结语321

附录321

参考文献324

第五章GaxInι-xAsyPι-y合金的低压金属有机化学汽相沉积326

Ⅰ．引言328

Ⅱ．生长技术331

Ⅲ．InP的生长与特性335

Ⅳ．GaInAs的生长与特性348

Ⅴ．GaInAsP的生长与特性379

Ⅵ．结语408

参考文献410

第六章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的缺陷415

Ⅰ．引言416

Ⅱ．光电子材料中的固有缺陷和工艺过程中产生的缺陷422

Ⅲ．位错的光学性质429

Ⅳ．与退化有关的缺陷反应433

Ⅴ．结语439

参考文献440

1993《半导体材料生长技术》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由（美）曾（Tsang，W.T.）主编；江剑平等译 1993 广东科技出版社；清华大学出版社出版的版本）。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。

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