《半导体测试技术》求取 ⇩

第一章 半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量1

第一节 导电型号的测量1

第二节 电阻率的测量7

第三节 非平衡少数载流子寿命的测量29

第二章 化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向51

第一节 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂51

第二节 半导体晶体中的缺陷62

第三节 硅单晶中生长缺陷的检测76

第四节 硅半导体器件制作过程中二次导生缺陷的检测85

第五节 硅单晶中漩涡缺陷的检测91

第六节 砷化镓及其它Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶中的缺陷检测99

第七节 晶体生长的固液界面的显示103

第八节 硅单晶的光点定向、定向切割与划片参考面的标定106

第九节 半导体测试技术中常用光学显微镜120

第三章 霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量133

第一节 霍尔系数和迁移率的测量133

第二节 霍化效应和磁阻法测量硅中杂质补偿度148

第三节 砷化镓中总杂质浓度的测定165

第四节 晶棒重熔法测定硅的补偿度170

第五节 霍尔因子和磁阻系数统计理论179

第四章 外延片的物理测试184

第一节 层错法检测外延层厚度184

第二节 红外干涉法测外延层厚度189

第三节 硅外延层缺陷检测和质量分析195

第四节 外延片夹层的测试199

第五节 三探针电压击穿法测外延层电阻率200

第六节 电容--电压法测硅外延层纵向杂质分布206

第七节 二次谐波法测外延层杂质浓度214

第五章 红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用221

第一节 半导体红外吸收光谱基本原理221

第二节 红外吸收法测定硅单晶中氧、碳含量240

第三节 利用等离子共振极小点测定半导体多数载流子浓度252

第四节 红外傅里叶变换光谱分析及其应用261

第一节 扫描电子显微镜结构和工作原理279

第六章 扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用279

第二节 操作模式和工作条件285

第三节 成像衬度机制289

第四节 在半导体测试技术中的应用291

第五节 电子束通道效应296

第七章 透射电子显微镜晶体缺陷分析300

第一节 电子衍射和成像基本理论300

第二节 堆垛层错的电子显微像319

第三节 位错的电子显微像330

第四节 晶体中沉淀相的电子显微像341

第五节 成像参数的测定347

第八章 X射线在半导体测试技术中的应用353

第一节 X射线的性质及其产生353

第二节 X射线在晶体中的衍射现象356

第三节 X射线衍射法测定半导体单晶的取向361

第四节 X射线衍射动力学理论概述365

第五节 晶体缺陷的X射线显微像衬度381

第六节 主要摄像法和影响分辨本领的因素388

第七节 X射线显微术的应用399

第九章 结电容和C-V测试技术405

第一节 MOS结构及其C-V特性405

第二节 C-V法测量半导体特性418

第三节 测定绝缘薄膜性质429

第四节 测定界面态密度434

第五节 热激电容法测定深能级杂质的浓度和发射参数436

第六节 椭圆偏振法测定薄膜厚度444

第十章 半导体中痕量杂质分析448

第一节 固体质谱分析449

第二节 俄歇电子能谱分析461

第三节 离子探针及其在半导体测试技术中的应用475

第四节 高纯硅的活化分析485

第五节 利用硅单晶的热处理效应测定氧含量491

附录498

一、半导体的主要物理常数498

二、单位换算表498

三、重要半导体的物理性质499