《电力半导体器件中间测试技术》求取 ⇩

目录1

第一章 半导体材料的检测1

§1.1 半导体晶体缺陷的检测1

§1.2 导电类型的测量2

§1.3 硅单晶杂质补偿度的测量7

§1.4 硅单晶材料体内少子寿命的测量22

§1.5 半导体材料电阻率的测量36

§2.1 功率晶体管电流放大系数的测量44

参考文献………………………………………………………………4？第二章 电力半导体器件电流放大系数的测量44

§2.2 电流放大系数在晶闸管中的作用46

§2.3 用音频法测量晶闸管的电流放大系数53

§2.4 用测量晶闸管V-1的方法测量电流放大系数64

参考文献66

第三章 电力半导体器件少子寿命的测量68

§3.1 概述68

§3.2 用频率法测量晶闸管长基区少子有效寿命70

§3.3 开路电压衰减法测量电力半导体器件的少子寿命72

§3.4 贮存电荷法测量硅整流元件的少子寿命79

§3.5 正弦半波反向恢复法测量电力半导体器件少子寿命82

§3.6 线性电流反向恢复法测量电力半导体器件少子寿命84

§3.7 光学法测量电力半导体器件少子寿命89

§3.8 大注入下的硅整流元件和晶闸管少子寿命的测量90

参考文献95

第四章 杂质浓度分布的测量97

§4.1 PN结结深的测量97

§4.2 用探针法测量半导体扩散层的薄层电阻101

§4.3 用薄层电阻法测量表面杂质浓度104

§4.4 阳及氧化剥层法测量杂质浓度分布107

§4.5 用C-V水银探针法测量杂质浓度分布110

§4.6 用C-V法测量晶闸管的杂质浓度分布127

§4.7 扩展电阻法测量杂质浓度分布134

§4.8 光学法测量晶闸管导通下载流子浓度分布142

§4.9 电力半导体器件中深能级杂质的测量144

参考文献157

第五章 PN结及硅元件表面电场和空间电荷159

区的测量159

§5.1 表面电场和空间电荷区的测量159

§5.2 “金属探针法”测量PN结表面电场的分布160

§5.3 “激光探针法”测量表面空间电荷区宽度166

§5.4 容-压法测量体内空间电荷区展宽172

参考文献178

第六章 晶闸管扩展速度的观测180

§6.1 概述180

§6.2 扩展理论181

§6.3 用瞬态导通正向压降法测量扩展速度192

§6.4 用探针法测量晶闸管的扩展速度204

§6.5 用红外法观测硅晶闸管瞬态导通扩展206

§6.6 晶闸管瞬态导通扩展的观测222

参考文献236

第七章 电力半导体器件热特性的测量239

§7.1 热阻239

§7.2 功率晶体管稳态热阻的测量244

§7.3 功率晶体管瞬态热阻的测量255

§7.4 晶闸管瞬态热阻测试266

§7.5 电力半导体器件热分布的测量285

参考文献296

第八章 电力半导体器件二次击穿的检测298

§8.1 大功率晶体管的安全工作区和二次击穿298

§8.2 大功率晶体管的二次击穿300

§8.3 大功率晶体管二次击穿的检测方法312

§8.4 大功率晶体管正偏二次击穿测试线路317

参考文献330

第九章 电力半导体器件的中间测试——伏安332

特性测试332

§9.1 晶闸管的伏安特性及其伏安特性中间检测的必要性332

§9.2 晶闸管伏安特性测试线路原理338

§9.3 光点跟迹法测伏安特性344

§9.4 晶闸管门极伏安特性及其测试线路原理350

§9.5 半自动停表法测门极参数357

参考文献360

第十章 显微技术及其在半导体技术中的应用362

§10.1 透射电子显微镜362

§10.2 扫描电子显微镜366

§10.3 质谱仪389

§10.4 离子微探针技术393

§10.5 俄歇电子能谱分析401

§10.6 红外电视显微镜410

参考文献414