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上册目录1

序…………………………………………………………………ⅳ1

引言1

第一章 锗和硅的化学制备2

§1 锗的来源、富集和制取2

§2 硅的来源、制取和化学提纯6

第二章 锗和硅的区域提纯16

§3 分凝现象17

§4 正常凝固21

§5 区域提纯原理30

§6 锗的区域提纯38

§7 硅的区域提纯44

§8 材料纯度的鉴定52

参考文献55

第三章 锗和硅的单晶生长57

§9 从液相中生长单晶的过程和理论58

§10 锗和硅的单晶生长方法73

§11 生长锗、硅晶体的新方法84

§12 单晶的检验和晶向测定91

参考文献94

第四章 半导体中的位错97

§13 位错的产生99

§14 减少位错的方法与生长无位错的锗、硅单晶110

§15 位错对半导体电学性质的影响114

§16 位错对原子过程的作用120

§17 位错的检验和位错密度的测量123

参考文献128

第五章 锗和硅中的杂质131

§18 锗和硅中杂质的物理化学性质132

§19 杂质在晶体中的分布与掺杂145

§20 获得均匀电阻率的方法161

§21 锗和硅中的非Ⅲ族、非V族杂质173

§22 电学性质的测量181

参考文献204