《非晶半导体材料与器件》求取 ⇩

第一章非晶半导体概论1

1.1 结构与分类1

1.2 电子态4

1.3 缺陷与掺杂效应7

1.4 输运性质11

1.5 光学性质14

1.6 非晶半导体超晶格21

第二章非晶半导体材料的制备与加工30

2.1 制备方法概述30

2.2 辉光放电法原理33

2.3 辉光放电淀积装置的设计40

2.4 a-Si:H的辉光放电淀积55

2.5 非晶薄膜的其他制备方法74

2.6 掺杂方法86

2.7 淀积过程中的晶化90

2.8 阳极氧化92

2.9 激光光刻94

2.10 材料工艺中的安全问题97

第三章非晶半导体材料的特性分析104

3.1 结构分析104

3.2 隙态测试113

3.3 光学常数测试123

3.4 组态分析135

3.5 组分分析140

3.6 发光特性的实验研究147

3.7 输运性质的实验研究159

第四章a-Si:H太阳能电池166

4.1 太阳能电池原理168

4.2 非晶太阳能电池的结构设计181

4.3 非晶太阳能电池的特性分析191

4.4 参数测试208

4.5 非晶太阳能电池的加工工艺214

4.6 非晶太阳能电池的材料物理问题227

4.7 非晶太阳能电池的应用239

第五章其他光敏器件250

5.1 光敏电阻和光电二极管250

5.2 a-Si:H辨色器254

5.3 摄像靶259

5.4 固体图像传感器269

5.5 光电子印刷术中的光敏器件282

5.6 高速光电探测器292

第六章发光器件296

6.1 发光器件原理297

6.2 a-SiCx:H发光器件306

6.3 研究方向317

第七章a-Si:H场效应器件322

7.1 场效应及场效应器件322

7.2 a-Si:H场效应器件的特性329

7.3 a-Si:H场效应器件的CAD模型335

7.4 a-Si:H场效应器件的稳定性347

7.5 a-Si:H场效应器件的应用352

第八章敏感元器件363

8.1 热敏电阻363

8.2 热电偶365

8.3 MIS型氢敏二极管368

8.4 场效应型组分敏感器件374

8.5 定位传感器376

第九章电子开关与光盘380

9.1 开关效应380

9.2 a-Si:H电子开关383

9.3 大容量的光存光取存贮器389

9.4 硅系非晶材料的光盘应用395

第十章其他应用400

10.1 a-Si:H对晶体表面的钝化作用400

10.2 a-SiGe:B在电子器件中的应用404

10.3 Se-Ge薄膜在光刻技术中的应用412

10.4 光学波导414