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目录1

绪论1

第一章 非晶态材料中的电子理论1

§1.1 引言1

§1.2 柯伯-格林伍德公式5

§1.3 安德森局域化8

§1.4 迁移率边和最小金属化电导14

§1.5 跳跃和变程跳跃20

第二章 非晶态半导体的制备和结构25

§2.1 非晶态半导体的制备25

§2.2 非晶态半导体的分类30

§2.3 非晶态半导体的结构特点33

§2.4 短程序和径向分布函数38

§2.5 确定非晶态半导体基本结构的方法42

§2.6 非晶态半导体的结构模型47

第三章 非晶态半导体的电学性质55

§3.1 莫特—CFO模型55

§3.2 直流电导率60

§3.3 温差电动势率73

§3.4 霍耳效应81

§3.5 交流电导85

§3.6 小极化子理论93

§3.7 非晶态半导体的场效应98

第四章 非晶态半导体的光学性质102

§4.1 非晶态半导体的光吸收过程102

§4.2 吸收边和奥巴克（Urbach）定则106

§4.3 带间吸收116

§4.4 振动模吸收122

§4.5 自由载流子吸收125

§4.6 高能端的吸收128

§4.7 非晶态半导体的电子态密度131

§4.8 非晶态半导体的光电导134

第五章 四面体键非晶态半导体145

§5.1 非晶态锗和硅的制备概述145

§5.2 非晶硅的辉光放电淀积152

§5.3 辉光放电淀积非晶硅的机理167

§5.4 非晶硅薄膜中的氢和氟173

§5.5 非晶锗、硅的基本结构183

§5.6 非晶锗、硅的结构缺陷和隙态187

§5.7 非晶锗、硅的电学性质194

§5.8 非晶锗、硅的光学性质202

§5.9 非晶硅的掺杂217

§5.10 非晶硅的其他特性234

§5.11 氢化非晶碳简介242

§6.1 制备和结构247

第六章 硫系非晶态半导体247

§6.2 硫系玻璃的电学特性254

§6.3 硫系玻璃半导体的缺陷态261

§6.4 光致发光268

§6.5 光吸收和光电导273

§6.6 开关特性和存贮效应276

§6.7 非晶硒281

第七章 非晶态半导体的应用289

§7.1 静电复印感光膜289

§7.2 非晶硅太阳电池303

§7.3 非晶硅场效应薄膜晶体管325

§7.4 非晶硅电荷耦合器件341

§7.5 非晶硅敏感器件344

§7.6 非晶硅表面钝化膜360

§7.7 非晶硅的其他应用369