《半导体手册 第3编 晶体二极管和晶体三极管》

第一章金属和半导体的接触1

1.1能带结构1

目 录1

1.2表面能级2

1.3电流－电压特性5

1.3.1扩散理论6

1.3.2两极管理论7

1.4少数载流子的注入7

2.1 pn结的整流理论9

第二章pn结9

2.1.1肖克莱理论10

2.1.2特殊情形13

2.1.3各种结15

2.2 pn结的阻抗16

2.2.1反向偏压的情形16

2.2.2正向偏压的情形17

2.3隧道结18

2.4.1击穿机构20

2.4 pn结的击穿现象20

2.4.2结构缺陷和击穿22

第三章pn结载流子扩散型晶体三极管23

3.1 小注入一维模型晶体三极管的导纳参数23

3.2晶体三极管实际工作状态的讨论35

3.2.1对于略去电场的讨论35

3.2.2关于边界条件的讨论36

3.2.3对于电中性条件的讨论38

3.3任一注入下的晶体三极管的工作情况39

3.4.1表面复合对电流放大系数的影响43

3.4晶体三极管的三维效应43

3.4.2决定电流放大系数的因子46

3.4.3由于结为曲面而引起的截止频率的降低51

3.4.4基区电阻54

第四章载流子漂移型晶体三极管63

4.1载流子漂移型晶体三极管概述63

4.2 内区的四端网络参数（指数函数分布）67

4.2.1四端网络参数的计算67

4.2.2 y参数的频率特性72

4.2.3电流放大系数的频率特性的近似解73

4.2.4同载流子扩散型晶体三极管特性的比较74

4.2.5用电荷控制法进行分析76

4.3 内区的四端网络参数（误差函数分布）78

4.4大注入工作80

4.5高杂质浓度时的各种特性83

4.6漂移型晶体三极管的特性87

第五章晶体三极管的电荷控制分析法89

5.1概述89

5.2大振幅工作的基本分析89

5.2.1参数和等效电路89

5.2.2参数的表达式91

5.2.3开关时间和开关电路的设计92

5.3比较精确的分析大振幅工作94

5.3.1基本方程94

5.3.2 qb与ic的关系94

5.3.3集电极耗尽层电容的影响95

5.4参数测量法96

5.4.1有源区时间常数的测量法96

5.4.2饱和时间常数的测量法96

5.5.2杂质分布和基区渡越时间的关系97

5.5.1空穴分布和基区渡越时间97

5.5分析基区渡越时间97

5.5.3基区渡越时间和α截止频率的关系98

5.5.4分析迁移率与杂质浓度的依从关系99

5.5.5基区渡越时间对注入水平的依从关系99

第六章pnpn器件101

6.1 pnpn结构的两种稳定工作方式101

6.2断开接通两种状态之间的过渡区103

6.3分析pnpn器件105

6.4.1发射极注射效率随电流的变化109

6.4电流放大系数α随电流的变化109

6.4.2注入载流子输运系数随电流的变化110

6.5开关特性110

6.5.1接通作用110

6.5.2断开作用113

第七章变容器件116

7.1概述116

7.2杂质分布引起的电容对电压的依从关系117

7.3三端变容器件123

参考资料125