《双极型晶体管模型》求取 ⇩

目录1

译者序1

第一章　绪论1

计算机辅助设计的用途1

目的2

结构2

符号及其确定原则3

输入参数和模型参数4

模型同器件物理之间的关系5

模型的符号6

模型的选用7

第二章　各种模型的理论推导8

2.1 引言8

2.2　EM1模型8

2.2.1　注入型模型10

2.2.2　传输型模型13

2.2.3　变型的模型——非线性混合π模型15

2.2.4　温度变化17

2.2.5　小结及评述18

2.3.1　改进的直流特性22

2.3　EM2模型22

2.3.2　电荷储存效应25

2.3.3　小信号（线性化）的EM2模型34

2.3.4　小结35

2.4　EM3模型37

2.4.1　在给定温度下改进的直流模型38

2.4.2　在给定温度下改进的电荷储存模型53

2.4.3 改进的随运用温度的变化关系56

2.4.5　小结与结论58

2.4.4　小信号（线性化）的EM3模型58

2.5　GP模型60

2.5.1 引言60

2.5.2　Is的物理定义64

2.5.3　9B的各种分量71

2.5.4　qb的估算78

2.5.5　基区展宽效应94

2.5.6　GP模型同EM3模型的比较99

2.5.7　小信号（线性化）的GP模型103

2.5.8　小结104

2.6　各种模型的局限性105

第三章　参数测量109

3.1 引言109

3.2　EM1模型的参数测定110

βF111

βR112

Is113

Tnom115

3.3　EM2模型的参数测量116

E？116

r′？118

r′c121

r′b128

Cjo，φ和m139

τF（或者在IC，VCE下的fT）143

τR（或者τSAT）149

CSUB或者CCs151

3.4 EM3模型的参数测量152

VA153

IC LOW,BCEC以及VCE）158

βFM,C2,nEL及θ（或者βF MAX,IC MAX,βF LOW,158

βRM,C4,nCL以及θR169

RATIO170

LE/W,ICO170

TC1,TC2172

3.5 GP模型的参数测量173

Iss173

VB174

IK179

B181

IKR181

附录一 使用传输符号与使用注入符号的比较184

附录二 EM3模型基区宽度调制的分析187

附录三 GP模型中QB五个分量的推导192

附录四 EM3和GP基区宽度调制模型的精确度194

附录五 小信号、线性化的EM3和GP模型199

附录六 SLIC，SINC以及SPICE程序中的各种输入参206

数对照表206

参考文献213