《双极电晶体之模式》

第一部分绪言1

计算机辅助设计的价值1

本书的目的2

本书的结构2

本书的符号3

输入参数与模式参数3

由元件物理特性决定的模式5

模式记号5

模式的选用？6

第二部分模式的理论推导7

2-1前言7

2-2EM1模式7

2-2-1注入型9

2-2-2传渡型12

2-2-3另一可选之型式——非线性混合π型14

2-2-4温度的影响16

2-2-5摘要与另外的说明17

2-3EM2模式18

2-3-1改良的直流特性18

A.r′e20

B.r′e21

C.r′b22

2-3-2电荷储存效应23

A.接面电容器23

B.扩散电容器26

C.基底电容器30

2-3-3小信号（线性化之）EM2模式31

2-3-4摘要32

2-4EM3模式33

2-4-1在固定温度时所改良的直流模式34

A.基极宽度调制34

B.βdc与电流的变化38

（一）区域二：中间电流39

（二）区域一：低电流40

（三）区域三：大电流44

（四）全部：区域一，二与三44

（五）欧米电阻的影响45

（六）在SLIC与SINC程式中βF对Ic的输入参数45

（七）βFac与它对电流的变化48

2-4-2定温时的一个改良的空间电荷模式48

A.改良的CJc—r′b模式48

B.τF对电流的变化48

2-4-3可与工作温度变化的改良50

A.物性为基础的温度变化51

（一）τF51

（二）CJc与CJE52

B.需要额外输入参数的温度有关参数52

2-4-4小信号（线性化）的EM3模式53

2-4-5摘要与结论53

2-5GP模式54

2-5-1前言54

2-5-2 Is的物理的定义58

QB的观念64

2-5-3 QB之诸成份65

A. QB成份的数学推导66

B. QB成份的物理意义68

（一）QBO68

（二）QE68

（三）Qc69

（四）QF70

（五）QR70

（六）工作区的影响70

（七）摘要71

2-5-4求qb的值72

A.成份qe72

B.成份qe75

C.成份qr77

D.成份qr78

E.近似空乏法的影响78

（一）QB79

（二）Iss79

（三）QE，Qc79

（四）QF，QR79

F. qb的解82

G.高阶注入时的解83

（一）高电流解之证实83

（二）q2的简化84

H.最后之分解86

I.与冈蒙与朋之推导的比较86

2-5-5基极变宽效应87

A.直流特性89

B.交流特性89

（一）基极变宽对τB的影响89

（二）射极迟缓（τ1）对IC91

（三）τF对IC92

2-5-6 GP模式与EM3模式的比较93

A.基极宽度调制93

B.高阶注入94

C.β对I95

D.τF对IC97

2-5-7小信号（线性化）GP模式97

2-5-8摘要97

A.直流模式97

B.电荷储存模式98

C.温度变化的模拟98

2-6模式的限制99

A.参方向的效应99

B.崩溃100

C.饱和100

第三部分参数测试103

3-1前言103

3-2 EM1模式参数的测试104

βF105

βR107

Is108

Tnom111

EG112

3-3 EM2模式参数的测试113

r′e114

r′e118

A.两个r′e的界限值定义118

B.r′cnorma1与r′csat的测试119

r′b124

A.前言124

B.r′b测试技术的比较124

C.小信号的测试125

D.脉冲测试法129

E.杂讯测试法134

CJO，？与M135

τF（或在Ic，VcE之fT）139

A.由fT求τ F140

B.测fT142

τR（或τS AT）145

CsuB或CcS148

3-4 EM3模式参数的测试149

VA150

βFM，C2，nEL，与θ（或βFMAX，IcMAX，βFLOW，IcLOW，BCEC与VcE）155

βRM，C4，nEL与θR165

RATIO166

LE/W，IcO167

TC1，TC2169

3-5 GP模式参数的测试170

Iss171

VB172

IK177

IKR179

B180

附录1传渡型之表示法与注入型之表示法的比较183

附录2EM3模式基极宽度调制之分析186

附录3推导在GP模式内QB之五个成份192

附录4EM3与GP对基极宽度调制之模拟的准确性195

附录5EM3与GP之小信号线性模式200

附录6SLIC，SINC与SPICE之输入参数的相互参照表207

参考文献215

索引223