《平面型晶体管专集》求取 ⇩
| 作者 | 半导体译丛编辑委员会编译 编者 |
|---|---|
| 出版 | 北京：国防工业出版社 |
| 参考页数 | 237 ✅ 真实服务 非骗流量 ❤️ |
| 出版时间 | 1965（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 15034·1034 — 违规投诉 / 求助条款 |
| PDF编号 | 87869688（学习资料 勿作它用） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
目录3
再版说明3
外延硅薄膜中的杂质分布5
用红外技术测量硅外延气相生长薄层的电阻率14
外延装置中硅和二氧化硅的连续生长19
用热生长氧化层法稳定硅表面24
热氧化引起硅中杂质的再分布和结的形成46
硅表面的氧化处理方法54
硅器件制造中的光刻过程66
硼通过氧化层在硅中的扩散73
磷在二氧化硅薄膜中的扩散83
金在硅中扩散的机构94
掺金硅的性质103
在硅上蒸发和合金的技术111
硅晶体管的铝丝连接120
晶体管参数与基区电阻率分布的关系126
功率晶体管设计的某些问题135
功率晶体管的自偏压截止效应143
条状结构晶体管的基区电势分布对发射极注入电流密度和基极有效电阻的影响145
大电流密度下晶体管截止频率（fT）下降的理论153
硅晶体管发射极-基极结中复合电流的分布167
结型三极管可迅速开关的最大功率密度176
收集区内的少数载流子积累效应与晶体管的贮存时间181
双扩散晶体管的注射效率190
表面复合和沟道对p-n结和晶体管特性的影响193
扩散p-n结的雪崩击穿特性211
p-n结中雪崩击穿的确定218
硅p-n结中的金属淀积220
扩散结中的空间电荷层宽度225
半导体硅中的漂移迁移率230
硅本体和硅中扩散层的电阻率233
1965《平面型晶体管专集》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由半导体译丛编辑委员会编译 1965 北京：国防工业出版社 出版的版本） 。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。
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