《面结型晶体管导论》求取 ⇩

原序3

目录3

符号表11

第一部分20

第一章 绪论20

1.1 历史背景21

1.2 点接触晶体管23

1.3 p-n结整流器和面结型晶体管25

1.4 改进的面结型晶体管结构29

1.5 面结型晶体管的制造30

2.1 晶体结构36

第二章　面结型晶体管理论定性的发展36

2.2 p-n结整流器40

2.3 p-n-p晶体管42

2.4 晶体管基区中电流流动的机理44

2.5 面结型晶体管的交流等效电路46

第三章 定性的半导体物理学51

3.1 经典和量子力学理论的结论；能级52

3.2 晶体结构；能带53

3.3　绝缘体、导体和半导体56

3.4 电子在晶体中的运动57

3.5 本征半导体59

3.6 n型杂质半导体61

3.7 p型杂质半导体63

第四章 定量的半导体物理学65

4.1 费米-狄腊克分布函数66

4.2 迁移载流子浓度的确定68

4.3 费米能级的确定71

4.4 用对本征状态能级的偏离表示的载流子浓度73

4.5 用电导率表示的载流子浓度74

4.6 实际应用的公式77

4.7 关于少数载流子的浓度80

第五章 半导体中电流的流动82

5.1 在n型和p型载流半导体中迁移载流子的分布83

5.2 在载流的p-n结中迁移载流子的分布88

5.3 扩散电流93

5.4 连续方程95

5.5 正向偏压下p-n结中电流的求解方法97

第六章 正向偏压下p n结的边界值100

6.1 热平衡下p-n结的能带图100

6.2 热平衡下p-n结中电流流动的趋势103

6.3 外加正向电压下p-n结的能带图107

6.4 注入载流子浓度的边界条件：第一种方法109

6.5 注入载流子浓度的边界条件：第二种方法112

6.6 物理基础115

7.1 少数载流子浓度的连续方程的解120

第七章 外加直流电势下的p-n结120

第二部分120

7.2 少数载流子电流方程123

7.3 电流形式的讨论124

7.4 p-n结的整流特性127

7.5 正向偏压下准费米能级的形状128

7.6 反向直流电势下n-p结中的电流129

7.7 反向偏压下准费米能级的形状132

第八章 p-n-p晶体管134

8.1 p-n-p晶体管的定性讨论134

8.2 基区中直流空穴浓度和空穴电流的表达式135

8.3 基区中空穴浓度和空穴电流的分布137

8.4 p-n-p 晶体管中的总偏流140

8.5 对交流讯号求连续方程的解143

8.6 发射极效率、转侈因数和集电区倍增因数146

8.7 简化的低频等效电路149

8.8 晶体管放大器的功率增益和截止频率151

第九章 内部电容、高频和反馈效应156

9.1 生长结晶体管的集电区空间电荷电容157

9.2 合金结晶体管的集电区空间电荷电容161

9.3 集电区空间电荷层的展宽164

9.4 扩散电抗168

9.5 发射区和集电区电导率的选择；Ic0172

10.1 集电区边界位置的变化对集电区边界值的影响177

第十章 p-n-p晶体管的通解177

10.2 基区中连续方程的解180

10.3 发射极和集电极的空穴电流；本征晶体管的等效电路185

第十一章 扩散导纳的近似式192

11.1 近似式的所需形式193

11.2 对m参数和T参数的求法195

11.3 αi与频率的关系198

11.4 αi的瞬态响应203

11.5 扩散导纳的近似式206

第十二章 完整的小讯号交流等效电路210

12.1 多数载流子的基极电阻效应210

12.2 基极电压发生器的分析213

12.3 完整的小讯号交流等效电路219

12.4 小讯号交流等效电路的典型值222

12.5 其它等效电路的表示法225

第三部分232

第十三章 实际应用的交流等效电路232

13.2 变换公式234

13.3 实际晶体管的变换导纳236

13.4 供实际应用的元件公式的简化243

13.5 实用公式247

13.6 实际应用中所需公式的摘要252

13.7 结果的实验验证253