《半导体超晶格 材料与应用》

第一章概述1

1.1.半导体超晶格1

1.2.超晶格的布里渊区与亚带结构4

1.3.超晶格异质界面带边的不连续性6

1.4.第Ⅰ类组分超晶格 GaAs/AlxGa1-xAs7

1.5.第Ⅱ类组分超晶格 GaxIn1-xAs/GaAsySb1-y13

1.6.量子霍尔效应17

第二章外延生长技术26

2.1.分子束外延(MBE)30

2.2.气源分子束外延(GS—MBE)53

2.3.MBE 的基本生长参数57

2.4.金属有机物化学气相淀积(MOCVD)63

2.5.低压金属有机物化学气相淀积(LP—MOCVD)82

2.6.LPE、VPE、MOCVD 和 MBE 的动力学与热力学比较101

2.7.化学束外延(CBE)121

2.8.原子层外延(ALE)132

2.9.热壁外延(HWE)149

第三章半导体超晶格的电子结构理论165

3.1.经验方法166

3.2.从头计算方法176

3.3.边界条件方法的理论说明178

3.4.边界条件方法对Ⅲ—Ⅴ 族半导体超晶格的应用207

3.5.用不同理论方法得到结果的比较248

3.6.包络函数近似253

3.7.Recursion 方法287

3.8.超薄层超晶格的电子结构294

3.9.超晶格半导体中的杂质态理论304

3.10.nipi 超晶格中杂质态的性质315

3.11.量子阱与超晶格中的激子327

第四章各类超晶格及其性质356

4.1.晶格匹配超晶格的晶格振动356

4.2.在超晶格中垂直于层的电荷输运373

4.3.在量子阱与超晶格中的光吸收与磁光吸收391

4.4.掺杂超晶格——nipi 结构402

4.5.应变层超晶格430

4.6.ZnSe/ZnSxSe1-x 应变层超晶格的光学特性与带偏移438

4.7.磁性半导体超晶格454

4.8.非晶半导体超晶格459

4.9.有关Ⅲ—Ⅴ 族半导体超晶格和量子阱结构的某些研究情况469

第五章半导体超晶格的应用486

5.1.带隙工程487

5.2.一种新的低噪声窄带宽量子阱红外探测器497

5.3.用 MBE 生长的一种新的 GaAs/AlxGa?-xAs 超晶格晶体管504

5.4.应变调制掺杂场效应晶体管(SMODFET)509

5.5.有关量子阱光子学的应用519

5.6.具有量子阱超晶格结构的高灵敏度的霍尔元件528

5.7.高电子迁移率晶体管(HEMT)532