《半导体材料手册》

一、锗、硅半导体材料1

1、锗材料简介1

2、锗技术条件2

3、纯锗锭技术条件4

4、锗单晶技术条件7

5、硅材料简介11

6、高纯硅（多晶）技术条件12

7、硅单晶技术条件14

8、硅外延片技术要求19

二、化合物半导体20

9、砷化镓单晶体20

10、锑化铟单晶体21

三、高纯金属及其常用合金21

11、高纯硼技术条件22

12、高纯铝丝技术条件24

13、高纯镓技术条件26

14、高纯铟技术条件29

15、高纯铊技术条件32

16、高纯磷技术条件35

17、高纯砷技术条件37

18、高纯锑技术条件40

19、高纯铋技术条件43

20、高纯锌技术条件46

21、高纯镉技术条件48

22、高纯硒技术条件51

23、高纯碲技术条件54

24、高纯银技术条件57

25、高纯金技术条件60

26、高纯锡技术条件63

27、高纯镍丝技术条件66

28、常用合金技术条件68

四、高纯掺杂剂72

29、高纯五氧化二磷技术条件72

30、光谱纯三氯化磷技术条件74

31、高纯三氧化二硼技术条件76

32、高纯三氯化硼技术条件78

33、高纯硼酸技术条件80

34、高纯三氧化硅技术条件82

35、光谱纯氧化钙技术条件83

五、金属材料84

36、镍丝技术要求84

37、镍带技术要求86

38、镀铜铁镍合金丝（原称杜镁丝）技术条件88

39、可伐合金Ni29Co18技术条件91

40、《МБ》元氧铜技术要求94

41、优良碳素结构钢（08#、10#）96

42、银铜焊料（丝、片）技术条件98

六、表面保护和封装剂100

43、分子筛100

44、硅腊（仿英国MS—5）技术条件102

45、活性氧化铝技术条件104

46、硅胶技术条件105

47、Бφ胶液技术条件108

48、聚三氟氯乙烯树脂110

49、聚三氟氯乙烯悬浮液111

50、聚乙烯咔唑技术要求112

七、高纯腐蚀和清洗剂112

51、乙醇技术要求113

52、丙酮技术要求114

53、特纯乙酸技术要求116

54、高纯双氧水技术条件117

55、特纯氢氟酸技术条件118

56、特纯硝酸技术条件119

57、特纯硫酸技术条件120

58、特纯盐酸技术条件121

59、米吐尔122

60、米氏铜123

61、聚乙稀醇桂皮酸酯124

八、其他辅助材料125

62、？C-4玻璃技术条件125

63、？C-8玻璃技术条件128

64、高纯度石英制品技术条件129

65、石墨技术条件130

66、3404环氧树酯基绝缘漆技术条件132

67、2085φ黑色磁漆技术条件134

68、2086φ黑色磁漆技术条件135

69、矽胶技术条件137

70、氧化铝微粉技术条件138

71、碳粉技术条件139

72、李普曼感版条件140