《半导体材料 锗硅部分》求取 ⇩
作者 | 北京大学物理系,半导体物理教研室编 编者 |
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出版 | 北京:人民教育出版社 |
参考页数 | 186 ✅ 真实服务 非骗流量 ❤️ |
出版时间 | 1961(求助前请核对) 目录预览 |
ISBN号 | K13010·814 — 违规投诉 / 求助条款 |
PDF编号 | 84639818(学习资料 勿作它用) |
求助格式 | 扫描PDF(若分多册发行,每次仅能受理1册) |
第一章锗和硅的化学制备1
§1.锗的资源2
§2.锗的富集和制取3
§3.硅的资源和制取8
§4.硅的化学提纯9
第二章锗、硅的区域提纯20
§5.分凝现象21
§6.正常凝固27
§7.区域提纯原理35
§8.锗的区域提纯44
§9.硅的区域提纯58
第三章锗、硅单晶制备69
§10.单晶的生长70
§11.锗单晶的制备75
§12.硅单晶的制备92
§13.影响单晶生长的因素97
§14.单晶生长中杂质的分布与控制102
§15.单晶中的缺陷126
第四章材料的测试135
§16.用热探针测量半导体的导电类型137
§17.电阻率的测量139
§18.霍尔系数的测量148
§19.寿命的测量153
§20.用劳埃相的方法确定晶向169
§21.位错的观察178
附录181
参考文献186
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