《半导体材料 锗硅部分》

作者 北京大学物理系，半导体物理教研室编 编者
出版 北京：人民教育出版社
参考页数 186
出版时间 1961（求助前请核对）  目录预览
ISBN号 K13010·814 — 求助条款
PDF编号 84639818（仅供预览，未存储实际文件）
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半导体材料 锗硅部分 1961 PDF电子版封面 K13010·814 北京大学物理系，半导体物理教研室编

第一章锗和硅的化学制备1

§1.锗的资源2

§2.锗的富集和制取3

§3.硅的资源和制取8

§4.硅的化学提纯9

第二章锗、硅的区域提纯20

§5.分凝现象21

§6.正常凝固27

§7.区域提纯原理35

§8.锗的区域提纯44

§9.硅的区域提纯58

第三章锗、硅单晶制备69

§10.单晶的生长70

§11.锗单晶的制备75

§12.硅单晶的制备92

§13.影响单晶生长的因素97

§14.单晶生长中杂质的分布与控制102

§15.单晶中的缺陷126

第四章材料的测试135

§16.用热探针测量半导体的导电类型137

§17.电阻率的测量139

§18.霍尔系数的测量148

§19.寿命的测量153

§20.用劳埃相的方法确定晶向169

§21.位错的观察178

附录181

参考文献186

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