《半导体硅材料与可控硅情报资料 3 单晶硅拉制工艺》求取 ⇩

第一部分 单晶炉设备简介2

1．拉制单晶的工作室——炉腔2

2．机械传动装置3

一、转动部分5

二、籽晶杆上拉运动5

三、籽晶杆与坩埚杆的快速升降3．真空系统5

4．电器部分6

第二部分 拉晶工艺9

1．热系统9

一、热系统的组成16

1．加热器16

2．保温系统16

3．支撑系统16

二、热系统所构成的温度分布1．温度梯度2．热系统构成的温度分布三、拉晶时温度分布的选择1．液体中的纵向及径向温度分布2．固体中的温度分布四、改善热场分布的几点体会1．加热器的选择2．保温系统的选择3．石墨坩埚的选择2．拉晶方法16

一、硅单晶的拉制工艺流程1．腐蚀与准备工作2．拆炉3．装炉4．抽真空5．加热6．化硅7．接触8．颈生9．肩生10．收肩16

11．等径生长28

一、硅单晶的拉制工艺流程1．腐蚀与准备工作2．拆炉3．装炉4．抽真空5．加热6．化硅7．接触8．颈生9．肩生10．收肩12．收尾、拉光13．缓慢冷却晶体14．停炉二、晶体生长过程中温度的观察三、拉晶过程中温度与拉速的控制1．拉速大小的讨论2．温度、拉速及直径的关系3．实际拉晶过程中拉速的控制曲线及温度的控制曲线四、拉晶中的几个工艺参数1．拉速2．籽晶转速及坩埚转速3．时间参数4．外形尺寸参数五、拉晶过程中的热惰性（温度变化的驰豫过程）六、拉晶中的一些技术性问题1．无位错单晶的生长2．提高引晶及肩生拉速3．中途回熔七、拉单晶过程中可能发生的事故1．拆炉和装炉过程2．抽空过程3．加热过程4．熔硅过程5．拉晶过程6．停炉3．掺杂工艺28

二、影响晶体电阻率的因素1．母合金的浓度（或化学合金的浓度）及掺杂量2．原料中的杂质含量3．石英坩埚的硼沾污4．系统沾污5．杂质从熔体中的蒸发6．杂质的分凝三、径向电阻率的分布四、掺杂方法的分类1．按晶体电阻率的范围分类2．按掺杂剂的形式分类3．按掺杂剂掺入的方式分类五、化学合金及母合金的制备1．化学合金的制备28

一、硅材料的导电类型37

2．母合金的制备37

二、影响晶体电阻率的因素1．母合金的浓度（或化学合金的浓度）及掺杂量2．原料中的杂质含量3．石英坩埚的硼沾污4．系统沾污5．杂质从熔体中的蒸发6．杂质的分凝三、径向电阻率的分布四、掺杂方法的分类1．按晶体电阻率的范围分类2．按掺杂剂的形式分类3．按掺杂剂掺入的方式分类五、化学合金及母合金的制备1．化学合金的制备六、复拉料的配备〔附录〕37