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4.2.19 不同本体杂质浓度（CB）的电场（E）与无量纲电场（F1

目录15

符号表15

第一章 主要性质摘要31

1.1 硅和锗31

1.1.1 硅和锗的主要性质31

1.2 其它半导体34

1.2.1 半导体材料的性质34

1.2.2 能带间隙（EG）与温度（T）的关系38

1.2.3 载流子迁移率乘积（μnup）与能带间隙（EG）的40

关系（均对硅归一化）40

1.2.4 热导率（？）与温度（T）的关系42

第二章 硅的性质45

2.1.1 硅的能带结构48

2.1 能级48

2.1.2 能带间隙（EG）与温度（T）的关系51

2.1.3 费米能量（EF）与电阻率（ρ）的关系54

2.1.4 费米能量（Ep）与温度（T）及施主杂质浓度（ND）、受56

主（NA）杂质浓度的关系56

2.1.5 费米电势（uF和φF）与本体杂质浓度的关系59

2.1.6 金能级（？和？）及本征费米能级（Ei）与62

温度（T）的关系62

2.1.7 简并度修正因子（ξ）与载流子浓度（n或p）对64

相应态密度（NC或Nv）之比的关系64

2.2 电导率67

2.2.1 电阻率（ρ）与半导体杂质浓度（CB）的关系67

2.2.2 电阻率（ρ）与杂质浓度（CB）及温度（T）的关系70

2.2.3 电阻率与温度的关系72

2.2.4 n型扩散层的平均电阻率（ρ）与表面杂质浓度（CS）及本体74

杂质浓度（CB）的关系74

2.2.5 p型扩散层的平均电阻率（ρ）与表面杂质浓度（CS）及本体76

杂质浓度（CB）的关系76

2.2.6 均匀掺杂n型层的薄层电阻（ρs）与层杂质浓度（NI）78

及层厚（W）的关系78

2.2.7 均匀掺杂p型层的薄层电阻（ρs）与层杂质浓度（Nl）及80

层厚（W）的关系80

浓度（Cs）及层厚（x/xj）的关系82

2.2.8,2.2.9,2.2.10 亚表面层的平均电阻率（？s）与表面杂质82

质浓度（CS）及层厚（x/xj）的关系86

2.2.11,2.2.12,2.2.13 亚表面层的平均电阻率（？s）与表面杂86

2.2.14 平均电阻率（？s）与表面杂质浓度（CS）和本体杂质浓90

度（CB）的关系90

2.3 迁移率92

2.3.1 电子和空穴迁移率（μ）与本体杂质浓度（CB）的关系92

2.3.2 电子迁移率（μn）与温度（T）的关系96

2.3.3 空穴迁移率（μp）与温度（T）的关系98

2.3.4 杂质散射迁移率（μ1）及晶格（热）散射迁移率（μL）与温100

度（T）及本体杂质浓度（CB）的关系100

2.3.5 霍耳迁移率（μH）与电阻率（ρ）的关系104

2.3.6 各种迁移率之间的关系106

2.3.7 电子扩散系数（Dn）与温度（T）及本体杂质浓度（CB）108

的关系108

2.3.8 空穴扩散系数（Dρ）与温度（T）及本体杂质浓度（CB）110

的关系110

2.4 其他电学、机械及光学性质112

2.4.1 硅和二氧化硅的蒸汽压（p汽）与温度（T）的关系112

2.4.2 热导率（？）及此热（cp）与温度（T）及电阻率（p）114

的关系114

2.4.3 硅和二氧化硅的线性热膨胀与温度的关系116

2.4.4 折射率（n＊）与温度（T）的关系118

2.4.5 吸收系数（α）与波长（λ）及温度（T）的关系120

2.4.6 吸收系数（α）与波长（λ）及温度（T）的关系122

2.4.7 自由载流子吸收系数（αfc）与波长（λ）及电阻率124

（ρ）的关系124

2.4.8 自由载流子吸收系数（αfc）与波长（λ）及电阻率（ρ）的关系126

2.4.9 最小反射波数（1/λmin）及波长（λmin）与杂质浓度128

（CB）的关系128

2.4.10 电离率（αi）与电场（E）的关系130

2.4.11 载流子漂移速度（vd）与电场（E）的关系132

2.4.12 压阻率与温度（T）及初始电阻率（ρ0）的关系134

度比）的关系136

2.5.1 腐蚀速率（re）与HF∶HNO3（氢氟酸对硝酸的浓136

2.5 腐蚀特性136

2.5.2 腐蚀速率（re）与HF∶HNO3∶H2O（氢氟酸∶硝酸∶水的138

浓度比）的关系138

2.5.3 腐蚀速率（re）及腐蚀速率转动系数与转速的关系140

第三章 硅中的杂质142

3.1 扩散系数144

3.1.1 硅中杂质的扩散系数（快扩散元素）144

3.1.2 硅中杂质的扩散系数（慢扩散元素）146

3.1.3 扩散系数（D）与本体杂质浓度（CB）及表面杂质浓度（CS）148

的关系148

的关系150

3.1.4 扩散系数（D）与表面杂质浓度（CS）及本体杂质浓度（CB）150

3.1.5 扩散系数（D）的修正因子与本体杂质浓度（CB）的关系152

3.1.6 液态半导体中扩散系数（Ap/Ds）与分布系数（k0）的关系154

3.2 普通杂质的特性156

3.2.1 硅中杂质的性质156

3.2.2 半导体工艺中所用的杂质159

3.2.3 杂质在硅中的固溶度（在给定温度T下的最大杂质浓度CBmax）160

3.2.4 硼在硅中的扩散〔结深（xj）为扩散时间（t）和扩散温度（T）162

的函数〕162

3.2.5 磷在硅中的扩散〔结深（xj）为扩散时间（t）和扩散温度（T）164

的函数〕164

及金扩散温度（T）的关系〕166

3.3 金的扩散特性166

3.3.1 金在硅中的溶解度〔金的饱和浓度（CAo）与本体杂质浓度（CB）166

3.3.2 金在硅中的溶解度〔金的饱和浓度（CAu）与扩散温度（T）168

的关系〕168

3.3.3 不同扩散机构的金扩散系数（D）与温度（T）的关系170

3.3.4 金浓度分布曲线172

3.3.5 金扩散后的电阻率（ρa）与金的饱和浓度（CAu）及金扩散前的175

电阻率（ρb）的关系175

3.3.6 金扩散引起的电阻率的变化178

3.3.7 金扩散引起的电阻率的变化180

3.4 载流子浓度和杂质浓度182

3.4.1 本征载流子浓度（ni）与温度（T）的关系182

3.4.2 载流子浓度（n或p）与温度（T）的关系186

3.4.3,3.4.4 多数载流子浓度和少数载流子浓度对温度的依从关系188

3.4.5 电子浓度（n）与温度（T）及简化费米能级（ηn）的关系192

3.4.6 空穴浓度（ρ）与温度（T）及简化费米能级（ηp）的关系194

3.4.7 对于晶体结构不同的半导体之间的p-n接触（异质结），边缘196

载流子浓度nj或pj与施主浓度ND或受主浓度NA及196

扩散电压VD的关系196

3.4.8 有应力时的少数载流子浓度（ns或ps）对无应力时的少数载流199

子浓度（n0或p0）的比值199

3.5 其他202

3.5.1 硅中杂质的能级（Et）202

3.5.2～3.5.6 硅和选定元素的相图204

第四章 硅表面及表面结构211

4.1.1 一般空间电荷曲线213

4.1 表面态密度213

4.1.2 反型半导体表面的平衡特性216

电容器最小电容的栅电压产生的表面态密度220

4.1.3 由金属-氧化物-半导体晶体管开启电压或金属氧化物-半导体220

4.2 反型层及耗尽层特性222

4.2.1 反型区内空穴总数（Qp/q）与栅电压（VG）、表面态密度222

（Qss）及氧化物厚度（xo）的关系222

4.2.2 反型区内电子总数（Qn/q）与栅电压（VG）、表面态密度（Qss）224

及氧化物厚度（xo）的关系224

总感应电荷数（Qs/q）的关系226

4.2.3 反型区内的电子数（Qn/q）及耗尽区宽度（xd）与半导体中226

电荷数（Qs/q）的关系228

4.2.4 反型层内少数载流子的电荷数（Qn/q）与半导体内总的感应228

4.2.5 阈电压（VT）与半导体杂质浓度（CB）及栅氧化物厚度（xo）230

的关系230

4.2.6 引起衬底表面反型所需的栅电压（VT）（开启电压）与金属-氧化232

物-半导体结构的反向偏压（VR）及氧化物厚度（x0）的关系232

4.2.7 阈电压（VT）随温度（T）的变化与本体杂质浓度（CB）及氧化235

物厚度（xo）的关系235

4.2.8 体掺杂及有效体电荷数（QD/q）对阈电压的贡献（VT）与氧化物238

厚度（xo）的关系238

4.2.9 反型层厚度（xs）及表面势（us）与半导体载流子浓度（n或p）240

的关系240

4.2.10 耗尽层宽度（xd）与半导体内感应的总电荷（Qs）及半导体杂质242

浓度（CB）的关系242

4.2.11 耗尽层宽度（xd）与半导体中感应的总电荷（Qs）及结外加电压244

（Vo）的关系244

4.2.12 耗尽区中有效表面杂质浓度（Cd）与最大耗尽层宽度（xd max）的关系246

4.2.13 金属-氧化物-半导体结构表面耗尽区的最大宽度（xd max）与扩散248

结构耗尽区宽度（xd）的此较248

4.2.14 耗尽区最大宽度（xd max）及耗尽区内电荷数（QD/q）（当半导250

体表面是强反型时）与半导体杂质浓度（CB）的关系250

浓度（CB）的关系252

4.2.15 表面耗尽层最大宽度（xd max）与结的反向偏压（VR）及体杂质252

4.2.16 空间电荷电容（Csc0及Cscm）、最小表面电容下总空间电荷数254

（Qsm/q）及表面势（ψsm）与本体杂质浓度（CB）的关系254

4.2.17 反型区内单位面积的耗尽层电容（Ci/A）及击穿时耗尽区中的最大256

电场（Ecrit）与体杂质浓度（CB）的关系256

4.2.18 SiO2中的电场（Eo）及半导体中单位面积总电荷（Qs）与半导体258

载流子浓度（n或p）的关系258

的关系260

4.2.20 空间电荷区中的载流子浓度（nd）及相应的无量纲电势（ud）与262

无量纲电场（F1）的关系262

4.2.21 累积和耗尽区中的电势（ud）和载流子浓度（nd）的空间变化265

4.2.22 反型层中有效载流子迁移率（μelf）与半导体中感应的单位面积268

总电荷（Qs）的关系268

4.2.23 由体杂质浓度（CB）及氧化层厚度（xo）引起的，在饱和范围内表面270

沟道中的载流子迁移率的相对变化270

4.3 表面结构的电容和电压关系272

4.3.1,4.3.2,4.3.3 理论的金属-氧化物-半导体电容-电压特性272

4.3.4 理论的电容-电压特性与温度的关系278

4.3.5 金属-氧化物-半导体电容最小值时的电压（Vm）与氧化物厚度280

（xo）及半导体杂质浓度（CB）的关系280

与温度的关系282

4.3.6 区分金属-氧化物-半导体结构的低频及高频响应的过渡频率（ft）282

4.3.7 金属-氧化物-半导体最小电容（Cm）对其最大电容（Co）之此与284

不同氧化物厚度（xo）的耗尽层平均杂质浓度（Cd）的关系284

4.3.8 C-V曲线的斜率与半导体杂质浓度（CB）、电容比（C/Co）及氧286

化物厚度（xo）的关系286

4.4 表面结构的其它特性288

4.4.1 单位面积（A）的氧化物电容（Co）与氧化物厚度（xo）的关系288

4.4.2 金属-半导体接触电势（φMs）与半导体杂质浓度（CB）的关系290

4.4.3 势垒高度（φB）与金属的真空功函数（φM）的关系294

4.4.4 金属-半导体界面费米能级的位置296

4.4.5 光发射的声子感应几率（fP）与金属-半导体界面上电场（E）298

的关系298

的关系300

4.4.6 光电阈能量（φtb）与金属的真空功函数（φM）及电负性（XP）300

第五章 一般扩散特性302

5.1 固态扩散305

5.1.1 杂质分布的各种曲线〔距半导体表面x处的杂质浓度C（x）和表面305

浓度CS之比与距离x的关系〕305

5.1.2 扩散分布曲线〔深度x处的杂质浓度C（x）和表面浓度Cs之比与308

离半导体表面距离x、扩散长度？的关系〕308

5.1.3 扩散系数与浓度有关的杂质的浓度分布曲线311

5.1.4 不同分布的杂质浓度分布曲线（x处的杂质浓度和表面浓度之比314

与x和结深xj之比的关系）314

与距半导体表面距离x和结深xj之比的关系）318

5.1.5 p-n结附近的扩散分布（在x处的杂质浓度和本体杂质浓度之比318

5.1.6 表面杂质浓度（CS）和本体杂质浓度（CB）之比与结深（xj）及320

扩散长度（？）的关系320

5.1.7 杂质电荷（Qj）及杂质浓度梯度（a＝dC/dx）与结深（xj）、本体322

杂质浓度（CB）及扩散长度（L＝？）的关系322

5.1.8 杂质电荷（Q）、本体杂质浓度（CB）、结深（xj）与扩散长度324

（L＝？）之间的关系324

5.1.9 表面浓度（Cs）和本体杂质浓度（CB）之比与结处的杂质梯度（α＝dC/dx）及扩散长度（L＝？）的关系326

5.1.10 自建场对浓度分布的影响〔C（x）与本征载流子浓度ni之比和距半328

导体表面距离x的关系〕328

（CS/xj）的关系331

5.1.11 p-n结处的实际杂质浓度梯度（α＝dC/dx）与平均杂质浓度梯度331

5.1.12 杂质浓度梯度的修正因子〔F（T）〕与温度（T）的关系334

5.1.13 在不同的表面杂质浓度（CS）与本体杂质浓度（CB）比值情况336

下，结深（xj）与扩散长度（L＝？）的关系336

5.1.14 在可变杂质浓度区域中的扩散（表面浓度CS对本体浓度CB之比338

与结深xj及扩散长度L3＝？的关系）338

5.1.15 在可变杂质浓度区域中的扩散（表面浓度CS对本体浓度CB之比340

与结深xj及扩散长度L2＝？的关系）340

5.1.16 杂质电荷（Q12）与有限结深（xj1和xj2）、本体杂质浓度（CB）342

及扩散长度（？）的关系342

（CS）及本体杂质浓度（CB）的关系344

5.1.17 扩散长度（L＝？）及表面电阻（V/I）与表面杂质浓度344

5.1.18 扩散长度（L＝？）及表面电阻（V/I）与表面杂质浓度346

（CS）及本体杂质浓度（CB）的关系346

5.1.19 结深（xj）及表面电阻（V/I）与表面杂质浓度（CS）及本体杂质348

浓度（CB）的关系348

5.1.20 结深（xj）及表面电阻（V/I）与表面杂质浓度（CS）及本体杂质350

浓度（CB）的关系350

5.1.21 结深（xj）及表面电阻（V/I）与表面杂质浓度（CS）及少数载流352

子迁移率（μ）的关系352

5.1.22 外部速率限制对固体扩散的影响354

5.2 通过掩膜窗口的扩散357

5.2.1 扩散掩膜边缘的杂质浓度的等分布图和扩散掩膜-半导体界面处横357

向（yj）与纵向（xj）之扩散深度比357

掩膜界面上的横向扩散）360

5.2.2 平面结表面处杂质浓度的等分布图（掩膜棱角附近的半导体-扩散360

5.2.3 各种掩膜窗宽度（w）所引起的p-n结的分布图362

5.2.4 掩膜窗（x方向）中心的结深及沿半导体-扩散掩膜界面处（y方向）364

的结深与掩膜窗宽度（w）及杂质浓度的关系364

5.2.5 扩散掩膜窗中心垂直于半导体表面的结深（xj）与掩膜窗宽度（w）366

的关系366

5.2.6 沿半导体-扩散掩膜界面的结深（yj）与掩膜窗宽度（w）的关系368

5.2.7 垂直于半导体-扩散掩膜界面（x方向）和沿半导体-扩散掩膜界面370

（y方向）的杂质分布与距掩膜边缘的距离（x或y）及掩膜窗370

宽度（w）的关系370

第六章 外延生长372

6.1 外延生长时杂质的再分布373

6.1.1 外延层的生长速率（rg）与沉积温度（T）及气相质量输运系数373

（hG）的关系373

6.1.2 各种逸出速率（ht？）下外延生长时的杂质再分布（外延层和376

衬底中的杂质分布与距界面距离的关系）376

6.1.3 各种外延层及衬底杂质浓度的外延生长时杂质的再分布380

6.2 亚外延杂质层382

6.2.1 外延生长前在衬底表面上沉积的杂质层的扩散（隐埋层）382

6.2.2 无外延生长时各种逸出速率（ht？）对杂质再分布的影响384

第七章 p-n结386

7.1.1 耗尽层宽度（xi）及单位面积结电容（C）与本体杂质浓度（CB）388

及p-n结端电压（V＝Va＋VD）的关系388

7.1 耗尽层特性、电容、结的击穿388

7.1.2 耗尽层宽度（xd）及单位面积结电容（C）与本体杂质浓度（CB）、表面杂质浓度（CS）、结电压（V＝V＋VD）及结深（xj）的关系390

7.1.3 耗尽层宽度（xd）及结电容（C）与结电压（V）、表面杂质浓度394

（CS）及扩散长度（L＝？）的关系394

7.1.4 扩展到p-n结轻掺杂一边（集电极）的耗尽层部分（Xd2）对总耗尽396

层宽度（xd）之比与电压（V＝Va＋VD）、本体杂质浓度（CB）、396

表面浓度（CS）及结深（xj）的关系396

7.1.5 耗尽层伸入p-n结重掺杂边（基极）的部分（xd1）对总耗尽层宽度398

（xd）之比398

7.1.6 结耗尽层的成分（伸入结重掺杂一边的耗尽层部分xd1对伸入轻400

掺杂一边的xd2之比与归一化结深xj？的关系）400

本体杂质浓度（CB）及线性缓变结结上杂质梯度（dC/dx）的关系402

7.1.7 单位面积的p-n结电容（C）与突变结结电压（V＝Va＋VD）、402

7.1.8 p-n结击穿电压（VB）及单位面积电容（C）与结杂质梯度404

（dC/dx）及本体杂质浓度（CB）的关系404

7.1.9 归一化的结过渡电容（Ct/Cf）与结电压（V）的关系406

7.1.10 突变结和线性缓变p-n结的电容范围（在击穿时最小，在零偏410

压时为最大）410

7.1.11 p-n结击穿电压（VB）与本体杂质浓度（CB）、表面浓度（Cs）412

及结深（xj）的关系412

7.1.12 结的击穿电压（VB）与外延层厚度（x）及外延层杂质浓度414

（Cf）的关系414

7.1.13 结的雪崩击穿电压（VB）与轻掺杂边的杂质浓度（CB）及结深（xj）418

的关系418

的关系420

7.1.14 结雪崩击穿电压（VB）与结上的杂质梯度（dC/dx）及结深（xj）420

的关系422

7.1.15 结雪崩击穿电压（VB）与结上的杂质梯度（dC/dx）及结深（xj）422

7.1.16 由于“穿通”引起的外延结构雪崩击穿电压的降低和由于结的弯曲424

形状引起的雪崩击穿电压的降低424

7.1.17 载流子倍增因子（M）与结电压（V）和雪崩击穿电压（VB）428

的关系428

7.1.18 达到雪崩击穿的最小结深（xjmin）与结上杂质梯度（dC/dx）及430

本体杂质浓度（CB）的关系430

7.1.19 结击穿时的耗尽层宽度（？）与p-n结的曲率半径及在轻掺杂432

一边的杂质浓度（CB）的关系432

的关系434

7.1.20 点接触雪崩击穿电压（VB）与半导体电阻率及探针重量（wp）434

7.2 扩散电压436

7.2.1 扩散（自建）电压（VD）与突变结本体杂质浓度（CB）及线性缓变436

结的杂质梯度（dC/dx）的关系436

7.2.2 归一化的扩散（自建）电压（vD）与结上杂质梯度（dC/dx）的关系439

7.3 其它的结特性441

7.3.1 由线性缓变到突变状态的扩散结的交叉电压（Vo）与结上杂质梯度441

及结上修正的杂质浓度（Nj）的关系441

7.3.2 少数载流子寿命（τ）与电阻率（ρ）的关系444

7.3.3 少数载流子寿命（τ）与金浓度（CAu）和少数载流子对多数载流子448

浓度比的关系448

7.3.4 少数载流子寿命（τ）与金浓度（CAu）及载流子俘获几率（α和β）的关系452

7.3.5 德拜长度（LD）与温度（T）及本体杂质浓度（CB）的关系454

7.3.6 最大电场（Emax）与结电压（V）、本体杂质浓度（CB）及结深456

（xj）的关系456

7.3.7 p-n结附近的电场（E）与离结距离（｜x—xj｜）的关系458

第八章 SiO2的特性462

8.1 SiO2中的扩散系数464

8.1.1 SiO2中杂质的扩散系数（D）464

8.1.2 扩散系数（D）及沸点（Tb）与杂质原子半径（rj）的关系466

8.2 氧化特性468

8.2.1 硅的热氧化（一般关系）468

的关系472

8.2.2 线性氧化速率常数（A）和抛物线氧化速率常数（B）与温度（T）472

8.2.3 氧化速率与晶体方向的关系476

8.2.4 归一化的抛物线氧化速率常数（B）的修正因子与半导体杂质浓度478

（CB）、氧化层中平均杂质浓度（Co）及半导体表面的杂质浓478

度（C2）的关系478

8.2.5 氧化剂的分压力（p）对氧化速率常数的影响482

8.2.6 硅的热氧化（氧化层厚度xo与氧化时间to及氧化温度T的关系）484

8.2.7 硅的热氧化（氧化层厚度xo与氧化时间to及水蒸汽压力PH2o486

的关系）486

8.2.8 氧化层厚度与水浴温度（TR）及氧化时间（to）的关系488

8.2.9 氧化层厚度（xo）与氧化时间（to）及水浴温度（TB）的关系490

8.3.1 半导体氧化时杂质的再分布与抛物线氧化速率常数（B）、半导体中杂质扩散系数（D）及分凝系数（m）的关系492

8.3 硅氧化时杂质的再分布492

8.3.2 热氧化时Si-SiO2界面处硼和磷的再分布（抛物线速率常数B和扩496

散系数D的影响）496

8.3.3 热氧化时Si-SiO2界面处硼和磷的再分布（氧化温度T的影响）498

8.3.4 热氧化时半导体内杂质的再分布（垂直于半导体表面的距离的影响）500

8.3.5 热氧化时半导体内杂质的再分布（分凝系数的影响）504

8.4 热特性506

8.4.1 电阻率（ρ）及介电常数（ε）与温度（T）的关系506

8.4.2 粘度（η）与温度（T）的关系510

8.5 腐蚀特性和掩蔽特性512

8.5.1 腐蚀速率（re）与温度（T）及HF浓度的关系512

层厚度（xo）的关系514

8.5.2 腐蚀剂的钻蚀量（yu）及氧化层腐蚀时间（t）与温度（T）及氧化514

8.5.3 最小可分辨条宽（wlmin）和达到wlmin所需的最佳旋转速度（wt）516

与光致抗蚀剂涂敷厚度（xph）的关系516

8.5.4 SiO2内杂质浓度分布图518

8.5.5 掩蔽磷和硼所需的最小SiO2厚度（xm）与扩散温度（T）及扩散520

时间（t）的关系520

8.5.6 掩蔽磷和硼所需的最小SiO2厚度（xm）与扩散时间（t）及扩散522

温度（T）的关系522

8.6 SiO2的其它性质524

8.6.1 SiO2的性质524

8.6.2 透射及反射与波长（λ）的关系526

8.6.3 压缩率（？p）与温度（T）及压力（ρ）的关系528

8.6.4 氧化层厚度（xo）与干涉颜色的关系530

附录532

A.1 重要的物理常数和数值533

A.1.1 重要物理常数533

A.2 四探针测量534

A.2.1 四探针电阻率测量（V/I特性与薄层电阻率之间的关系534

A.2.2 四探针电阻率测量（V/I与样品直径的关系）537

A.2.3 直列的四探针（探针点中心偏离样品中心时的修正系数ηo）539

A.2.4 直列四探针（探针点附近电阻率不均匀时的修正系数ηnu）542

A.3 常用溶液的成分544

A.3.1 硅工艺中所用的一些腐蚀液和其它溶液的成分544

A.4.1 单位的转换548

A.4 单位和座标的转换548

A.4.2 阿雷尼厄斯曲线的温度倒数与温度的关系549

A.4.3 热电压与温度的关系550

A.4.4 小时平方根与分钟的关系551

A.4.5 干涉条纹转换到微米552

A.5 其它555

A.5.1 各种物质蒸汽压与温度、熔点的关系555

A.5.2 金属的性质556

A.5.3 玻璃衬底材料的性质558

A.5.4 绝缘体的性质559

A.5.5 元素周期表560