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目录1

第一章 基本理论1

§1．点缺陷1

§2．位错——线缺陷2

1．两种简单的位错型2

2．位错产生的简单机构4

（1）位错的遗传4

（2）位错的增殖4

§3．点缺陷与位错的交互作用6

§4．半导体硅上的位错7

1．金刚石结构中的简单位错7

2．金刚石结构中的混合位错8

§5．单晶生长过程中位错的产生10

1．从籽晶引入的位错10

2．在晶体生长过程中引起的位错10

§6．达希（W．C．Dash）理论的局限性及我们的看法13

§7．位错对半导体电学性质的影响15

§8．位错对原子过程的作用17

§1．位错排与星形结构18

第二章 半导体硅单晶中各种具体的缺陷之腐蚀图象分析18

§2．小角晶界及系属结构20

§3．边界线21

§4．反向生长；枝蔓结构与网状结构22

§5．亚结构与蛛网状结构23

§6．辉纹与管道24

第三章 硅单晶的腐蚀图象显示法29

§1．硅单晶（111）面位错的显示法29

§2．硅单晶（100）面位错显示法31

§3．硅单晶生长前沿显示法31

1．空间坐标中的各种晶面与晶向34

附录：34

2．常用物理数值表35

3．硅在常温下主要的固有物性36

4．硅中各种杂质的能级37

5．有关杂质在硅中的分凝系数38

6．有关杂质在硅中的挥发38

7．有关杂质在硅中的扩散39

8．硅中杂质的固相溶解度40

9．硅单晶的定向籽晶的制备42

10．硅中载流子浓度与电阻率的关系43