《硅中缺陷与器件质量 半导体材料学进展译文集》
| 作者 | 王儒全等译 编者 |
|---|---|
| 出版 | 轻工业出版社 |
| 参考页数 | 180 |
| 出版时间 | 1980（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 15042·1538 — 求助条款 |
| PDF编号 | 89448588（仅供预览，未存储实际文件） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
目录1
硅材料特性和器件功能之间的关系1
硅衬底中的缺陷13
用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅰ．磷扩散诱生失配位错39
用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅱ．Si3N4工艺46
用预氧化吸收来消除硅片的氧化诱生堆垛层错Ⅲ．缺陷腐蚀坑与P-N结漏电流的关系55
硅中氧化诱生堆垛层错一、成核现象63
硅中氧化诱生堆垛层错二、在P-N结二极管中的电效应77
硅中硅氧化物的非均相沉淀98
退火硅表面的堆垛层错109
硅器件中工艺诱生缺陷和软P-N结之间的关系117
硅片退火对环状缺陷产生的影响122
堆垛层错对场效应管器件漏电流的影响133
硅光导型摄象管中晶格缺陷引起的图象损坏138
吸收和位错146
显示〈100〉硅晶体缺陷的化学腐蚀的比较155
显示硅单晶中缺陷的一种新的择优腐蚀液163
封闭舟：一种硅片成批处理的新方法171
1980《硅中缺陷与器件质量 半导体材料学进展译文集》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由王儒全等译 1980 轻工业出版社 出版的版本） 。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。
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