《半导体器件研究与进展 2》

窄禁带半导体红外探测器 汤定元童斐明1

一、前言1

二、Hg1-zCdzTe晶体的物理性质5

三、红外探测器概述26

四、光电导型红外探测器45

五、光伏型红外探测器63

六、多元列阵红外探测器86

参考文献103

半导体发光 徐叙瑢108

一、前言108

二、分立中心及复合发光111

三、边缘发射124

四、发光跃迁及无辐射跃迁132

五、瞬态光谱143

六、过热发光148

七、高激发密度下的发光157

八、p-n结发光166

九、高电场激发的发光174

十、结束语187

参考文献189

金属硅化物 许振嘉193

一、前言193

二、金属硅化物的形成195

三、过渡金属硅化物214

四、稀土金属硅化物252

五、金属硅化物的性质和应用267

六、结束语286

参考文献287

超低阈值GaAIAs量子阱激光器 刘锦贤293

一、光互连用的激光器293

二、超低阈值和超高速量子阱激光器296