《半导体器件研究与发展 第1册》

半导体器件的发展 王守武1

一、前言1

二、电子器件的结构与发展8

三、超大规模和甚大规模集成电路的发展35

四、光电器件与单块光电集成66

五、结束语88

参考文献89

一、前言98

MOS技术中的Si-SiO2界面物理 李志坚98

二、MOS结构的电特性102

三、Si-SiO2界面电子态研究122

四、氧化层中的陷阱和MOS结构的辐照效应147

五、相关的其他问题和对进一步工作的提示171

六、结束语173

参考文献174

半导体器件的数值模型 谈根林王以铭182

一、前言182

二、基本半导体方程184

三、器件模拟的数值技术206

四、不等温器件分析229

五、异质结器件分析243

六、半导体器件的蒙特卡罗分析257

七、结束语273

参考文献274

异质结双极型晶体管 苏里曼283

一、前言283

二、晶格匹配285

三、异质结的形成289

四、异质结晶体管的能带设计293

五、异质结晶体管各区的材料选择312

六、异质结晶体管的结构设计322

七、异质结晶体管的制作工艺345

八、异质结晶体管的性能363

九、异质结晶体管集成电路378

十、结束语387

参考文献391