《硅单晶缺陷显示图象册》
作者 | 七三厂编 编者 |
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出版 | 天津市科学技术局革委员情报组 |
参考页数 | 44 |
出版时间 | 1971(求助前请核对) 目录预览 |
ISBN号 | 无 — 求助条款 |
PDF编号 | 85058868(仅供预览,未存储实际文件) |
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第一章基本理论1
1.点缺陷1
2.位错——线缺陷2
1.两种简单的位错型2
2.位错产生的简单机构4
(1)位错的遗传4
(2)位错的增殖4
3.点缺陷与位错的交互作用6
4.半导体硅上的位错7
1.金刚石结构中的简单位错7
2.金刚石结构中的混合位错8
5.单晶生长过程中位错的产生10
1.从籽晶引入的位错10
2.在晶体生长过程中引起的位错10
6.达希(W·C·Dash)理论的局限性及我们的看法13
7.位错对半导体电学性质的影响15
8.位错对原子过程的作用17
第二章半导体硅单晶中各种具体的缺陷之腐蚀图象分析18
1.位错排与星形结构18
2.小角晶界及系属结构20
3.边界线21
4.反向生长;枝蔓结构与网状结构22
5.亚结构与蛛网状结构23
6.辉纹与管道24
第三章硅单晶的腐蚀图象显示法29
1.硅单晶(111)面位错的显示法29
2.硅单晶(100)面位错显示法31
3.硅单晶生长前沿显示法31
附录34
1.空间坐标中的各种晶面与晶向34
2.常用物理数值表35
3.硅在常温下主要的固有物性36
4.硅中各种杂质的能级37
5.有关杂质在硅中的分凝系数38
6.有关杂质在硅中的挥发38
7.有关杂质在硅中的扩散39
8.硅中杂质的固相溶解度40
9.硅单晶的定向籽晶的制备42
10.硅中载流子浓度与电阻率的关系43
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