《硅单晶缺陷显示图象册》

第一章基本理论1

1.点缺陷1

2.位错——线缺陷2

1.两种简单的位错型2

2.位错产生的简单机构4

(1)位错的遗传4

(2)位错的增殖4

3.点缺陷与位错的交互作用6

4.半导体硅上的位错7

1.金刚石结构中的简单位错7

2.金刚石结构中的混合位错8

5.单晶生长过程中位错的产生10

1.从籽晶引入的位错10

2.在晶体生长过程中引起的位错10

6.达希(W·C·Dash)理论的局限性及我们的看法13

7.位错对半导体电学性质的影响15

8.位错对原子过程的作用17

第二章半导体硅单晶中各种具体的缺陷之腐蚀图象分析18

1.位错排与星形结构18

2.小角晶界及系属结构20

3.边界线21

4.反向生长;枝蔓结构与网状结构22

5.亚结构与蛛网状结构23

6.辉纹与管道24

第三章硅单晶的腐蚀图象显示法29

1.硅单晶(111)面位错的显示法29

2.硅单晶(100)面位错显示法31

3.硅单晶生长前沿显示法31

附录34

1.空间坐标中的各种晶面与晶向34

2.常用物理数值表35

3.硅在常温下主要的固有物性36

4.硅中各种杂质的能级37

5.有关杂质在硅中的分凝系数38

6.有关杂质在硅中的挥发38

7.有关杂质在硅中的扩散39

8.硅中杂质的固相溶解度40

9.硅单晶的定向籽晶的制备42

10.硅中载流子浓度与电阻率的关系43

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