《半导体器件的分析与模拟》求取 ⇩

第一章引言1

1.1．模型的目的1

1.2．数值器件模型的历史3

参考文献5

第二章一些基本性质9

2.1．Poisson方程9

2.2．连续性方程12

2.3．载流子输运方程13

2.4．载流子浓度28

2.5．热流方程49

2.6．基本半导体方程51

参考文献52

第三章工艺模型57

3.1．离子注入58

3.2．扩散78

3.3．氧化90

参考文献95

第四章物理参数99

4.1．载流子迁移率模型99

4.2．载流子产生-复合模型127

4.3．热导模型146

4.4．热产生模型147

参考文献149

第五章关于基本半导体方程的解析研究155

5.1．定义域及边界条件156

5.2．因变量163

5.3．解的存在性170

5.4．解的唯一性与非唯一性171

5.5．定标172

5.6．奇异扰动法176

参考文献179

第六章基本半导体方程的离散化182

6.1．有限差分184

6.2．有限盒法217

6.3．有限元223

6.4．瞬态问题236

6.5．设计一个网格244

参考文献248

第七章非线性代数方程系统的解251

7.1．牛顿法及其扩展252

7.2．迭代法258

参考文献264

第八章稀疏线性方程系统的解266

8.1．直接法266

8.2．排序法268

8.3．松弛法295

8.4．交替直接法303

8.5．强隐式法304

8.6．迭代法的收敛加速307

参考文献314

第九章结果一瞥318

9.1．MOSFET的击穿现象318

9.2．闸流管的速率效应332

参考文献348