《半导体工艺原理 下》
| 作者 | 成都电讯工程学院，刘国维，谢孟贤 编者 |
|---|---|
| 出版 | 北京：国防工业出版社 |
| 参考页数 | 159 |
| 出版时间 | 1980（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 15034·2016 — 求助条款 |
| PDF编号 | 87460848（仅供预览，未存储实际文件） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
目录1
第六章 外延1
§6-1 四氯化硅氢还原法外延生长原理1
§6-2 四氯化硅氢还原法外延生长条件5
§6-3 外延层中杂质浓度的分布8
§6-4 硅烷热分解法外延技术简介14
§6-5 外延层中的缺陷18
§6-6 外延层的检测22
第七章 光刻32
§7-1 光刻胶（光致抗蚀剂）33
§7-2 光刻工艺35
§7-3 光刻中的常见问题40
§7-4 提高光刻技术的-些措施42
第八章 电极系统55
§8-1 金属-半导体接触55
§8-2 欧姆接触60
§8-3 金属电极材料62
§8-4 金属电极系统的失效机理64
§8-5 GaAs的欧姆接触74
第九章 表面钝化技术78
§9-1 硅-二氧化硅界面特性及其对器件性能的影响78
§9-2 MOS C-V分析88
§9-3 低温钝化（LTP）技术103
§9-4 磷硅玻璃（P2O5·SiO2）钝化107
§9-5 氮化硅钝化111
§9-6 三氧化二铝钝化119
§9-7 化学钝化125
§9-8 氮氢烘焙129
第十章 半导体器件的可靠性131
§10-1 可靠性基础知识131
§10-2 器件的失效规律和常用的寿命分布137
§10-3 可靠性试验143
§10-4 失效机理147
§10-5 提高器件可靠性的措施154
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