《半导体工艺化学 工艺原理部分》

目录1

第一章 化学清洗1

§1-1硅片表面沾污的杂质类型和清洗步骤1

§1-2有机杂质的清洗3

§1-3无机杂质的清洗7

§1-4清洗工艺的安全操作15

第二章 半导体材料17

§2-1半导体材料的概述17

§2-2硅及其重要的化合物17

§2-3多晶硅的制备24

§2-4半导体材料锗27

§2-5半导体材料砷化镓29

§2-6硅片抛光的化学原理30

第三章 外延工艺的化学原理32

§3-1外延工艺中气相抛光原理32

§3-2外延生长的化学原理33

§3-3氢气的纯化34

§3-4氢和氧的安全使用39

第四章 表面钝化的化学原理40

§4-1二氧化硅钝化膜40

§4-2磷硅玻璃钝化膜44

§4-3氮化硅钝化膜45

§4-4三氧化二铝钝化膜47

第五章 扩散工艺的化学原理51

§5-1半导体的杂质类型51

§5-2硼扩散的化学原理53

§5-3磷扩散的化学原理55

§5-5染色法显示P-N结58

§5-6砷扩散的化学原理58

§5-4锑扩散的化学原理58

第六章 光刻工艺的化学原理62

§6-1概述62

§6-2聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶64

§6-3光刻工艺的化学原理66

§6-4其它光致抗蚀剂的介绍71

第七章 化学腐蚀的原理76

§7-1化学腐蚀的原理76

§7-2影响化学腐蚀的因索83

§8-1制版工艺简介85

§8-2超微粒干版制备的化学原理85

第八章 制版工艺的化学原理85

§8-3超微粒干版照相冲洗的化学原理90

§8-4金属版97

第九章 纯水的制备103

§9-1纯水在半导体生产中的应用103

§9-2离子交换法制备纯水的原理103

§9-3离子交换法制备纯水107

第十章 电镀与化学镀112

§10-1电镀112

§10-2化学镀镍117

第十一章 装架封装工艺的化学原理121

§11-1银浆低温烧结121

§11-2塑料封装的化学原理122

附录129