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目录1

第六章 外延1

§6-1四氯化硅氢还原法外延生长原理1

§6-2四氯化硅氢还原法外延生长条件5

§6-3外延层中杂质浓度的分布8

§6-4硅烷热分解法外延技术简介14

§6-5外延层中的缺陷18

§6-6外延层的检测22

第七章 光刻32

§7-1光刻胶(光致抗蚀剂)33

§7-2光刻工艺35

§7-3光刻中的常见问题40

§7-4提高光刻技术的一些措施42

第八章 电极系统55

§8-1金属-半导体接触55

§8-2欧姆接触60

§8-3金属电极材料62

§8-4金属电极系统的失效机理64

§8-5GaAs的欧姆接触74

第九章 表面钝化技术78

§9-1硅-二氧化硅界面特性及其对器件性能的影响78

§9-2MOSC-V分析88

§9-3低温钝化(LTP)技术103

§9-4磷硅玻璃(P2O5·SiO2)钝化107

§9-5氮化硅钝化111

§9-6三氧化二铝钝化119

§9-7化学钝化125

§9-8氮氢烘焙129

第十章 半导体器件的可靠性131

§10-1可靠性基础知识131

§10-2器件的失效规律和常用的寿命分布137

§10-3可靠性试验143

§10-4失效机理147

§10-5提高器件可靠性的措施154

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