《半导体工艺原理》求取 ⇩

目录1

第一章　半导体的晶体结构1

§1-1　锗、硅的晶体结构1

§1-2　晶向和晶面5

§1-3　锗、硅晶体的各向异性11

§1-4　锗、硅晶体的原子堆积模型17

§1-5　砷化镓的晶体结构20

第二章　半导体中的杂质和缺陷24

§2-1　点缺陷24

§2-2　位错31

§2-3　层错56

§2-4　微缺陷64

§2-5　半导体中的杂质75

§2-6　半导体中缺陷的检测和晶体定向88

§2-7　超微量杂质的检测103

第三章　相图概念116

§3-1　什么是相图116

§3-2　两相平衡共存时的准静态相变118

§3-3　形成有限固溶体的相图120

§3-4　形成化合物的相图123

§3-5　固溶度和分凝系数128

§3-6　相图在半导体工艺中的应用131

第四章　扩散135

§4-1　半导体中杂质原子扩散的微观机构136

§4-2　半导体中杂质原子扩散的浓度分布142

§4-3　扩散工艺参量与扩散工艺条件151

§4-4　主要扩散方法161

§4-5　金扩散技术概要171

§4-6　其它某些问题176

§4-7　高温氧化过程中杂质的再分布181

§4-8　结深和方块电阻的测量187

附录Ⅰ 扩散方程的求解201

附录Ⅱ 参考图线205

附录Ⅲ 离子注入技术简介210

第五章　氧化技术原理220

§5-1　二氧化硅玻璃的结构和某些性质221

§5-2　二氧化硅玻璃中的杂质224

§5-3　杂质在SiO2玻璃层中的扩散228

§5-4　高温氧化233

§5-5　热分解淀积二氧化硅247

§5-6　SiO2层厚度的测量249

附录　硅中的氧化层错253