《半导体物理 下》求取 ⇩

目录289

第七章 半导体界面物理289

§37 半导体表面的特性289

§38 半导体表面（清洁表面和实际表面）289

§39 p-n结294

39.1 p-n结的能带图294

39.2 p-n结的过渡区和势垒电容298

39.3 p-n结的扩散电流和整流特性303

39.4 p-n结的过剩电流307

39.5 p-n结的强电场现象312

§40 异质结320

40.1 异质结及其界面320

40.2 异质结的阻挡层325

40.3 异质结阻挡层的特性328

§41 金属-半导体界面329

41.1 金属表面和肖特基效应329

41.2 肖特基势垒333

41.3 肖特基势垒的整流特性337

41.4 金属和半导体的欧姆接触339

§42 半导体-电介质界面340

§43 晶粒间界345

习题348

第八章 半导体电子器件物理351

§44 肖特基势垒二极管（SBD）351

§45 齐纳二极管和江崎二极管355

§46 双极型晶体管360

46.1 晶体管作用360

46.2 结型晶体管的原理和静态特性361

46.3 工作特性和α＊，β，γ365

46.4 α截止频率和优值368

46.5　漂移晶体管372

§47　闸流晶体管374

47.1　闸流晶体管及其种类374

47.2　可控硅的工作原理和电压-电流特性376

§48　单极晶体管380

48.1　场效应晶体管原理380

48.2　结栅型场效应晶体管381

48.3　绝缘栅型场效应晶体管383

§49＊　电荷转移器件389

49.1　CCD390

49.2　BBD396

§50 MOS存贮器件397

50.1 半导体不挥发性存贮器397

50.2 MNOS存贮器件398

§ 51 渡越时间器件402

§52 转移电子器件408

52.1 谷间转移和负微分迁移率408

52.2 高场畴和电流振荡410

52.3 微波振荡器件413

52.4 功能逻辑器件415

§53 表面声波器件416

习题419

第九章　光电子器件物理422

§54　光电探测器422

54.1　光敏电阻422

54.2　光电二极管427

54.3　高速光电二极管432

54.4　太阳电池434

55.1　注入型电致发光440

§55　半导体发光器件440

55.2　发光二极管（LED）444

55.3　半导体激光器447

55.4　本征发光和本征发光器件456

§56＊　布里渊散射和光偏向器件460

第十章＊　无定形半导体的物理性质464

§57　无定形半导体的特征464

§58　无定形半导体的基本性质466

§59　无定形半导体的状态密度469

60.1　迁移率隙和能带传导迁移率471

§60　无定形半导体的电学性质471

60.2　经过定域态能级的载流子迁移473

60.3　强电场现象479

§61　无定形半导体的光学性质483

§62　可逆相变486

§63 内部积蓄能量及性质的变化489

参考文献494

参考书495

习题解答和提示496

主要半导体的电子物理常数498