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第一章 半导体的基本性质1

§1-1 绝缘体-半导体-半金属-金属1

重要符号表1

§1-2 正空穴3

§1-3 传导过程、补偿、质量作用定律5

第二章 能带结构10

§2-1 单一势阱和周期重复势阱10

§2-2 紧束缚于原子的电子的能带20

§2-3 布里渊区23

§2-4 等能面35

第三章 半导体统计学40

§3-1 费密统计40

§3-2 杂质能级的占有因子50

§4-2 电导率和它的温度依赖关系57

第四章 非简并电子气中电荷和能量的输运57

§4-1 电子气的动力学理论57

§4-3 横向磁场中的霍耳效应68

§4-4 磁阻82

§4-5 科宾诺(Corbino)电阻87

§4-6 非均匀样品的磁阻90

§4-7 平面霍耳效应92

§4-8 热导率、罗仑兹数、与金属的比较94

§4-9 温差电(塞贝克)效应99

§4-10 汤姆逊和珀尔帖效应107

§4-11 热磁效应113

§4-12 压阻123

§4-13 热电子(hot electrons)和能量弛豫时间129

§4-14 高频电导135

§4-15 噪声137

第五章 载流子的扩散过程143

§5-1 注入和复合143

§5-2 扩散和爱因斯坦关系145

§5-3 P-n结152

§5-4 准费密能级162

§5-5 晶体管164

§5-6 金属-半导体接触170

§5-7 各种类型的晶体管172

§5-8 丹倍效应和光电磁效应175

§5-9 光生伏特效应179

§5-10 热载流子扩散182

§6-1 中性杂质散射186

第六章 球形单谷模型中的散射过程186

§6-2 弹性散射过程190

§6-3 电离杂质散射194

§6-4 载流子的声学波形变势散射199

§6-5 热载流子(hot carriers)的声学波形变势散射203

§6-6 电离杂质散射与声学波形变势散射的组合210

§6-7 压电散射217

§6-8 晶体的声子谱220

§6-9 非弹性散射过程230

§6-10 动量平衡方程和移位麦克斯韦分布235

§6-11 光学波形变势散射239

§6-12 极性光学波散射250

§6-13 载流子-载流子散射259

§6-14 杂质传导和跳跃过程261

§6-15 位错散射263

第七章 多谷模型中的电荷输运及散射过程271

§7-1 形变势张量271

§7-2 电导率275

§7-3 弱磁场中的霍耳效应280

§7-4 弱场磁阻282

§7-5 等效谷际散射和能谷再分布效应288

§7-6 温载流子和热载流子的电流磁现象301

§7-7 非等效谷际散射、负微分电导和耿氏振荡307

§7-8 声电效应322

第八章 扭曲球面模型中载流子的输运336

§8-1 能带和态密度336

§8-2 电导率342

§8-3 霍耳效应和磁阻342

§8-4 温空穴和热空穴349

第九章 输运现象中的量子效应354

§9-1 隧道二极管354

§9-2 磁量子效应360

§9-3 载流子的磁冻结现象366

§9-4 磁声子效应369

第十章 碰撞电离和雪崩击穿378

§10-1 均匀半导体中的低温碰撞电离378

§10-2 p-n结中的雪崩击穿385

第十一章 光的吸收和反射392

§11-1 基本吸收和能带结构392

§11-2 吸收限:对温度、压力、合金成份和简并性的依赖关系397

§11-3 激子吸收408

§11-4 磁场下的带间跃迁411

§11-5 Franz-Keldysh效应(电吸收和电反射)416

§11-6 杂质吸收421

§11-7 极性半导体中的晶格反射429

§11-8 多声子晶格吸收433

§11-9 基本光吸收限的量子力学处理437

§11-10 自由载流子的吸收和反射443

§11-11 廻旋共振467

§11-12 自由载流子的磁光效应475

§11-13 带间磁光效应485

§11-14 磁等离子体波487

§11-15 非线性光学492

§11-16 光子曳引(光电效应)498

第十二章 光电导508

§12-1 光电导动力学508

§12-2 锗中的深能级514

§12-3 受主的俘获截面522

第十三章 半导体产生的光振荡525

§13-1 发光二极管525

§13-2 半导体激光器529

第十四章 其它半导体542

§14-1 超导半导体542

§14-2 液态、玻璃状和无定形半导体544

§14-3 有机半导体557

附录A 电导率张量和热导率张量564

附录B 修正贝塞尔函数568

附录C 电阻率和霍耳效应的测量方法573

附录D 光的透射率和反射率;Kramers Kronig关系式581

附录E 半导体典型性质的测量588

重要量的数值590

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